Datasheet > IXGT16N170A

IXGT16N170A

更新时间： 2024-02-03 13:02:40

品牌	Logo	应用领域
IXYS		双极性晶体管高压
页数	文件大小	规格书
2页	97K
描述
High Voltage IGBT

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXGT16N170A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.66	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	32 A	集电极-发射极最大电压：	1700 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	1100 ns
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	190 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	1600 ns	标称接通时间 (ton)：	90 ns
Base Number Matches：	1

IXGT16N170A 数据手册

Advance Technical Data

IXGH 16N170A

IXGT 16N170A

V_CES

I_C25

= 1700 V

16 A

High Voltage

IGBT

V_CE(sat)= 5.0 V

t_fi(typ)

40 ns

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-268(IXGT)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

1700

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

C (TAB)

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

TO-247AD(IXGH)

SSOA

= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10Ω

= 40

C^Gla^Emped inductive load

@ 0^C.8^MV_CES

C (TAB)

(RBSOA)

t_SC

T_J= 125°C, V_CE= 1200 V; V_GE= 15 V, R_G= 22Ω

µs

G = Gate,

C = Collector,

TAB = Collector

E=Emitter,

P_C

T_C= 25°C

190

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

International standard packages

JEDEC TO-268 and

JEDEC TO-247 AD

M_d

Mounting torque (M3)

(TO-247)

1.13/10Nm/lb.in.

300 °C

High current handling capability

MOS Gate turn-on

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

- drive simplicity

Rugged NPT structure

Molding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

Weight

TO-247

TO-268

Applications

Capacitor discharge & pulser circuits

AC motor speed control

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

DC servo and robot drives

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

DC choppers

Uninterruptible power supplies (UPS)

BV_CES

V_GE(th)

= 250 µA, V_GE= 0 V

1700

3.0

Switched-mode and resonant-mode

I^C_C= 250 µA, V_CE= V_GE

5.0

power supplies

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T = 25°C

µA

Note 1 T_J^J= 125°C

750

Advantages

High power density

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100

Suitable for surface mounting

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

T = 25°C

T_J^J= 125°C

4.0

4.8

5.0

Easy to mount with 1 screw,

(isolated mounting screw hole)

DS98993(01/03)

中文翻译

下载PDF

与IXGT16N170A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGT16N170AH1	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT
IXGT16N170AH1	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用:?
IXGT20N100	IXYS	获取价格	IGBT
IXGT20N100	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGT20N120	IXYS	获取价格	IGBT
IXGT20N120B	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT
IXGT20N120B	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGT20N120BD1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, TO-268,
IXGT20N140C3H1	IXYS	获取价格	GenX3 1400V IGBTs w/ Diode
IXGT20N140C3H1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30

与IXGT16N170A相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

9
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

9
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

11
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

13

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGT16N170A

IXGT16N170A 技术参数

IXGT16N170A 数据手册

与IXGT16N170A相关器件

与IXGT16N170A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGT16N170A

IXGT16N170A 技术参数

IXGT16N170A 数据手册

与IXGT16N170A相关器件

与IXGT16N170A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？