5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-268 |
| 包装说明： | TO-268, 3 PIN | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.68 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 40 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SINGLE |
| JEDEC-95代码： | TO-268 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 1250 ns | 标称接通时间 (ton)： | 57 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGT20N120B | IXYS |
获取价格 |
High Voltage IGBT |
|
| IXGT20N120B | LITTELFUSE |
获取价格 |
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
|
| IXGT20N120BD1 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, TO-268, |
|
| IXGT20N140C3H1 | IXYS |
获取价格 |
GenX3 1400V IGBTs w/ Diode |
|
| IXGT20N140C3H1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
|
| IXGT20N60B | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT |
|
| IXGT20N60BD1 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT with Diode |
|
| IXGT22N170 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage IGBT |
|
| IXGT24N170 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage IGBT |
|
| IXGT24N170 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用:? |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
