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IXGT15N120B2D1

更新时间： 2024-01-30 14:29:02

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IXYS		双极性晶体管
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2页	70K
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HiPerFAST IGBT

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IXGT15N120B2D1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.65
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	30 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	565 ns	标称接通时间 (ton)：	43 ns
Base Number Matches：	1

IXGT15N120B2D1 数据手册

Advance Technical Information

HiPerFAST^TMIGBT

V_CES

I_C25

=1200 V

= 30 A

IXGH15N120B2D1

IXGT15N120B2D1

V_CE(sat)= 3.3 V

Optimized for 10-20 KHz hard

switching and up to 100 KHz

resonant switching

t_fi(typ)

= 137 ns

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-247AD

(IXGH)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1200

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

TAB

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

TO-268

(IXGT)

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

SSOA

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 Ω

I_CM= 40

C (TAB)

(RBSOA)

Clamped inductive load

@ 0.8 V_CES

P_C

T_C= 25°C

192

G = Gate

C = Collector

E = Emitter

TAB = Collector

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

M_d

Mounting torque (TO-247)

1.13/10 Nm/lb.in.

^zInternational standard packages:

JEDEC TO-247AD & TO-268

^zIGBT and anti-parallel FRED in one

package

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

260

6 / 4

°C

Maximum tab temperature

soldering SMD devices for 10s

°C

^zMOS Gate turn-on

- drive simplicity

^zFast Recovery Expitaxial Diode (FRED)

- soft recovery with low I_RM

Weight

TO-247AD / TO-268

Applications

AC motor speed control

DC servo and robot drives

DC choppers

Uninterruptible power supplies (UPS)

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 μA, V_GE= 0 V

I_C= 250 μA, V_CE= V_GE

1200

2.5

5.0

Switch-mode and resonant-mode

power supplies

I_CES

V_CE= V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

100

3.5

μA

Advantages

^zSaves space (two devices in one

package)

Easy to mount with 1 screw

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V

I_C= I_CE90, V_GE= 15

100

3.3

V_CE(sat)

(isolated mounting screw hole)

Reduces assembly time and cost

T_J= 125°C

2.7

DS99492(09/05)

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