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IXGR60N60C3C1

更新时间： 2024-02-18 18:24:02
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IXYS 晶体二极管晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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6页 193K
描述
GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode

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IXGR60N60C3C1 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.18
Is Samacsys：NBase Number Matches：1

IXGR60N60C3C1 数据手册

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GenX3TM 600V IGBT  
w/ SiC Anti-Parallel  
Diode  
VCES  
IC110  
VCE(sat)  
tfi(typ)  
= 600V  
= 30A  
≤£ 2.5V  
= 50ns  
IXGR60N60C3C1  
(Electrically Isolated Back Surface)  
High Speed PT IGBT for 40-100kHz Switching  
ISOPLUS247TM  
Symbol  
VCES  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25°C to 150°C  
600  
600  
V
V
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ  
G
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
C
E
Isolated Tab  
IC25  
IC110  
IF110  
ICM  
TC = 25°C (Limited by leads)  
TC = 110°C  
75  
30  
A
A
A
A
G = Gate  
E = Emitter  
C = Collector  
TC = 110°C  
TC = 25°C, 1ms  
13  
260  
Features  
IA  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
40  
A
EAS  
400  
mJ  
z Silicon Chip on Direct-Copper Bond  
(DCB) Substrate  
z Optimized for Low Switching Losses  
z Square RBSOA  
z Isolated Mounting Surface  
z Anti-Parallel Ultra Fast Diode  
z High Speed Silicon Carbide Schottky  
Co-Pack Diode  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 125°C, RG = 3Ω  
Clamped Inductive Load  
ICM = 125  
A
(RBSOA)  
@ VCE ≤ VCES  
PC  
TC = 25°C  
170  
W
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
- No Reverse Recovery  
z 2500V Electrical Isolation  
z Avalanche Rated  
VISOL  
50/60 Hz, RMS, t = 1minute  
IISOL < 1mA  
2500  
3000  
V~  
V~  
t = 10 s  
FC  
Mounting Force  
20..120/4.5..27  
N/lb  
Advantages  
TL  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
z High Power Density  
z Low Gate Drive Requirement  
TSOLD  
Weight  
5
g
Applications  
z High Frequency Power Inverters  
z UPS  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
z Motor Drives  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250μA, VCE = VGE  
3.0  
5.5  
V
z SMPS  
z PFC Circuits  
z Battery Chargers  
z Welding Machines  
z Lamp Ballasts  
VCE = VCES, VGE = 0V  
50  
1
μA  
mA  
TJ = 125°C  
IGES  
VCE = 0V, VGE = ±20V  
±100  
2.5  
nA  
VCE(sat)  
IC = 40A, VGE = 15V, Note 1  
2.2  
1.7  
V
V
TJ = 125°C  
DS100098B(01/10)  
© 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXGR60N60C3D1 IXYS

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS247, 3 PIN
IXGR60N60C3D1 LITTELFUSE

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXGR60N60U1 IXYS

获取价格

 		LowV-CE(sat) IGBT with Diode ISOPLUS247-TM (Electrically Isolated Back Surface)
IXGR64N60A3 IXYS

获取价格

 		600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
IXGR64N60A3 LITTELFUSE

获取价格

 		IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对
IXGR6N170A IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 5.5A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, ISOPLUS
IXGR6N170A LITTELFUSE

获取价格

 		功能与特色: 应用:?
IXGR72N60A3 IXYS

获取价格

 		600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
IXGR72N60A3 LITTELFUSE

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 		IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对
IXGR72N60A3H1 LITTELFUSE

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor,

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