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IXGR60N60C3D1

更新时间： 2024-02-15 14:57:04
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅
页数 文件大小 规格书
7页 215K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS247, 3 PIN

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IXGR60N60C3D1 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Transferred
零件包装代码：ISOPLUS包装说明：ISOPLUS247, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.65外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：75 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极发射器阈值电压最大值：5 V
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：170 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：198 ns
标称接通时间 (ton)：54 nsBase Number Matches：1

IXGR60N60C3D1 数据手册

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TM  
VCES  
IC110  
= 600V  
= 30A  
GenX3 600V IGBT  
IXGR60N60C3D1  
w/ Diode  
VCE(sat) ≤£ 2.5V  
tfi(typ)  
(Electrically Isolated Back Surface)  
= 50ns  
High Speed PT IGBT for  
40-100 kHz Switching  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
ISOPLUS247TM  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
600  
600  
V
V
TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
G
C
E
Isolated Tab  
IC25  
IC110  
IF110  
ICM  
TC = 25°C ( Limited by Leads)  
TC = 110°C  
TC = 110°C  
75  
30  
A
A
A
A
G = Gate  
E = Emitter  
C = Collector  
17  
TC = 25°C, 1ms  
260  
IA  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
40  
A
EAS  
400  
mJ  
Features  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 125°C, RG = 3Ω  
Clamped Inductive Load  
ICM = 125  
A
z Silicon Chip on Direct-Copper Bond  
(DCB) Substrate  
(RBSOA)  
VCE ≤ VCES  
z Isolated Mounting Surface  
z 2500V Electrical Isolation  
z Optimized for Low Switching Losses  
z Square RBSOA  
PC  
TC = 25°C  
170  
W
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
TJM  
Tstg  
z Avalanche Rated  
-55 ... +150  
z Anti-Parallel Ultra Fast Diode  
VISOL  
50/60 Hz, RMS, t = 1minute  
IISOL < 1mA  
2500  
3000  
V~  
V~  
t = 10 s  
Advantages  
FC  
Mounting Force  
20..120/4.5..27  
N/lb  
z High Power Density  
z Low Gate Drive Requirement  
TL  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
TSOLD  
Weight  
5
g
Applications  
z High Frequency Power Inverters  
z UPS  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
z Motor Drives  
z SMPS  
z PFC Circuits  
z Battery Chargers  
z Welding Machines  
z Lamp Ballasts  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250μA, VCE = VGE  
3.0  
5.5  
V
VCE = VCES, VGE = 0V  
50 μA  
1 mA  
TJ = 125°C  
TJ = 125°C  
IGES  
VCE = 0V, VGE = ±20V  
±100 nA  
VCE(sat)  
IC = 40A, VGE = 15V, Note 1  
2.2  
1.7  
2.5  
V
V
DS100055B(01/10)  
© 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
1234567

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与IXGR60N60C3D1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXGR60N60U1 IXYS

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 		LowV-CE(sat) IGBT with Diode ISOPLUS247-TM (Electrically Isolated Back Surface)
IXGR64N60A3 IXYS

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 		600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
IXGR64N60A3 LITTELFUSE

获取价格

 		IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对
IXGR6N170A IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 5.5A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, ISOPLUS
IXGR6N170A LITTELFUSE

获取价格

 		功能与特色: 应用:?
IXGR72N60A3 IXYS

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