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IXGR6N170A

更新时间： 2024-11-05 21:21:39

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	170K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 5.5A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, ISOPLUS247, 3 PIN

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IXGR6N170A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	ISOPLUS247, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	8.53	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	5.5 A	集电极-发射极最大电压：	1700 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	65 ns
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	271 ns
标称接通时间 (ton)：	91 ns	Base Number Matches：	1

IXGR6N170A 数据手册

Advance Technical Information

High Voltage IGBT

V_CES

I_C25

= 1700V

= 5.5A

IXGR6N170A

V_CE(sat)≤ 7.0V

t_fi(typ)= 32ns

(Electrically Isolated Tab)

Symbol

V_CES

Test Conditions

Maximum Ratings

ISOPLUS247^TM

T_C= 25°C to 150°C

1700

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

5.5

2.5

Isolated Tab

= Collector

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

G = Gate

E = Emitter

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 33Ω

I_CM= 12

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

@ 0.8 • V_CES

t_SC

P_C

T_J= 125°C, V_CE= 1200 V, V_GE= 15 V, R_G= 33Ω

μs

T_C= 25°C

Features

T_J

- 55 ... +150

150

°C

^zSilicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

^zIsolated Mounting Surface

^z2500V~ Electrical Isolation

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

V_ISOL

50/60 Hz, RMS, t = 1minute

2500

3000

I_ISOL< 1mA

t = 20 seconds

Advantages

F_C

Mounting Force

20..120/4.5..27

N/lb

^zHigh Power Density

^zLow Gate Drive Requirement

T_L

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

300

260

°C

T_SOLD

Weight

Applications

^zPower Inverters

^zUPS

Symbol Test Conditions

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Characteristic Values

^zMotor Drives

^zSMPS

Min.

1700

3.0

Typ.

Max.

^zPFC Circuits

^zWelding Machines

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= 0.8 • V_CES, V_GE= 0V

5.0

10 μA

Note 2, T_J= 125°C

500 μA

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 3A, V_GE= 15V, Note 1

7.0

T_J= 125°C

5.4

DS100279(08/09)

12 3 4 5

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