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IXGR72N60A3

更新时间： 2024-04-09 18:40:59

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		超快恢复二极管开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	908K
描述
IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对UPS、离线式开关电源和电磁炉等高达100kHz的高速应用进行了优化。 G系列可提供带集成式超快恢复二极管（FRED）或不带FRED的型号。

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IXGR72N60A3 数据手册

GenX3^TM600V IGBT

V_CES

I_C110

= 600V

= 52A

IXGR72N60A3*

*Obsolete Part Number

V_CE(sat)

t_fi(typ)

£ 1.45V

= 250ns

(Electrically Isolated Tab)

Ultra-Low Vsat PT IGBT for up to

5kHz Switching

ISOPLUS247^TM

Symbol

V_CES

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

600

V_CGR

T_J= 25C to 150C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

20

30

Isolated Tab

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25C

T_C= 110C

T_C= 25C, 1ms

G = Gate

E = Emitter

= Collector

400

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125C, R_G= 3

I_CM= 150

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

V_CE V_CES

Features

P_C

T_C= 25C

200

^Silicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

T_J

-55 ... +150

150

C

T_JM

T_stg

^Isolated Mounting Surface

^2500V Electrical Isolation

^Optimized for Low Conduction Losses

^Square RBSOA

-55 ... +150

V_ISOL

F_C

50/60 Hz, RMS, t = 1minute

Mounting Force

2500

20..120/4.5..27

N/lb

^International Standard Package

T_L

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

300

260

°C

Advantages

T_SOLD

^High Power Density

^Low Gate Drive Requirement

Weight

Applications

^Power Inverters

^UPS

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

600

3.0

Typ.

Max.

^Motor Drives

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

^SMPS

^PFC Circuits

^Battery Chargers

^Welding Machines

^Lamp Ballasts

^Inrush Current Protection Circuits

5.0

75 A

750 μA

T_J= 125C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

100 nA

1.45 V

V_CE(sat)

I_C= 60A, V_GE= 15V, Note 1

DS99963B(01/14)

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXGR72N60A3U1	IXYS	获取价格	600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
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IXGR72N60B3D1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS247, 3 PIN
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