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IXGR72N60A3

更新时间： 2024-11-06 14:56:15

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		超快恢复二极管开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	908K
描述
IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对UPS、离线式开关电源和电磁炉等高达100kHz的高速应用进行了优化。 G系列可提供带集成式超快恢复二极管（FRED）或不带FRED的型号。

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IXGR72N60A3 数据手册

GenX3^TM600V IGBT

V_CES

I_C110

= 600V

= 52A

IXGR72N60A3*

*Obsolete Part Number

V_CE(sat)

t_fi(typ)

£ 1.45V

= 250ns

(Electrically Isolated Tab)

Ultra-Low Vsat PT IGBT for up to

5kHz Switching

ISOPLUS247^TM

Symbol

V_CES

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

600

V_CGR

T_J= 25C to 150C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

20

30

Isolated Tab

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25C

T_C= 110C

T_C= 25C, 1ms

G = Gate

E = Emitter

= Collector

400

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125C, R_G= 3

I_CM= 150

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

V_CE V_CES

Features

P_C

T_C= 25C

200

^Silicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

T_J

-55 ... +150

150

C

T_JM

T_stg

^Isolated Mounting Surface

^2500V Electrical Isolation

^Optimized for Low Conduction Losses

^Square RBSOA

-55 ... +150

V_ISOL

F_C

50/60 Hz, RMS, t = 1minute

Mounting Force

2500

20..120/4.5..27

N/lb

^International Standard Package

T_L

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

300

260

°C

Advantages

T_SOLD

^High Power Density

^Low Gate Drive Requirement

Weight

Applications

^Power Inverters

^UPS

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

600

3.0

Typ.

Max.

^Motor Drives

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

^SMPS

^PFC Circuits

^Battery Chargers

^Welding Machines

^Lamp Ballasts

^Inrush Current Protection Circuits

5.0

75 A

750 μA

T_J= 125C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

100 nA

1.45 V

V_CE(sat)

I_C= 60A, V_GE= 15V, Note 1

DS99963B(01/14)

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGR72N60A3H1	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXGR72N60A3H1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS247, 3 PIN
IXGR72N60A3U1	IXYS	获取价格	600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
IXGR72N60B3D1	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXGR72N60B3D1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS247, 3 PIN
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IXGR72N60C3	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
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