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IXGR72N60B3H1

更新时间： 2024-11-06 14:56:55
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 275K
描述
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 300V? GenX3? IGBT提供高达150 kHz的开关性能，电流范围在42A至120A之间。 由于兼具

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IXGR72N60B3H1 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.59
Base Number Matches：1

IXGR72N60B3H1 数据手册

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TM  
VCES  
IC110  
VCE(sat)  
tfi(typ)  
= 600V  
= 40A  
£ 1.80V  
= 92ns  
GenX3 600V  
IXGR72N60B3H1  
IGBT w/ Diode  
(Electrically Isolated Tab)  
Medium Speed Low Vsat PT IGBT  
for 5-40 kHz Switching  
ISOPLUS247TM  
Symbol  
VCES  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25C to 150C  
600  
600  
V
V
G
VCGR  
TJ = 25C to 150C, RGE = 1M  
C
E
Isolated Tab  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
G = Gate  
C
= Collector  
IC25  
IC110  
IF110  
ICM  
TC = 25C  
80  
40  
A
A
A
A
E = Emitter  
TC = 110C  
TC = 110C  
TC = 25C, 1ms  
34  
450  
Features  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 125C, RG = 3  
ICM = 240  
A
(RBSOA)  
Clamped Inductive Load  
VCE VCES  
Silicon Chip on Direct-Copper Bond  
(DCB) Substrate  
Isolated Mounting Surface  
Optimized for Low Conduction and  
Switching Losses  
2500V~ Electrical Isolation  
Square RBSOA  
Anti-Parallel Ultra Fast Diode  
PC  
TC = 25C  
200  
W
TJ  
-55 ... +150  
150  
C  
C  
C  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
VISOL  
FC  
50/60 Hz, 1 Minute  
Mounting Force  
2500  
V~  
20..120/4.5..27  
N/lb  
TL  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Advantages  
TSOLD  
High Power Density  
Low Gate Drive Requirement  
Weight  
5
g
Applications  
Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
Lamp Ballasts  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250A, VCE = VGE  
3.0  
5.0  
V
VCE = VCES, VGE = 0V  
300 A  
mA  
TJ = 125C  
5
IGES  
VCE = 0V, VGE = 20V  
100 nA  
VCE(sat)  
IC = 60A, VGE = 15V, Note 1  
IC = 120A  
1.50  
1.75  
1.80  
V
V
DS99875C(01/16)  
© 2016 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXGR72N60C3 LITTELFUSE

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXGR72N60C3 IXYS

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor
IXGR72N60C3D1 IXYS

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 		600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
IXGR72N60C3D1 LITTELFUSE

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 		GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
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