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IXGR72N60A3H1

更新时间： 2024-01-11 19:43:28
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅
页数 文件大小 规格书
7页 251K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS247, 3 PIN

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IXGR72N60A3H1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：ISOPLUS
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.59
其他特性：LOW CONDUCTION LOSS外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：75 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极发射器阈值电压最大值：5 V
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：200 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：885 ns
标称接通时间 (ton)：63 nsBase Number Matches：1

IXGR72N60A3H1 数据手册

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GenX3TM 600V IGBT  
w/Diode  
VCES  
IC110  
= 600V  
= 52A  
IXGR72N60A3H1  
VCE(sat)  
tfi(typ)  
£ 1.45V  
= 250ns  
(Electrically Isolated Tab)  
Ultra-Low Vsat PT IGBT for up to  
5kHz Switching  
ISOPLUS247TM  
Symbol  
VCES  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25C to 150C  
600  
600  
V
V
VCGR  
TJ = 25C to 150C, RGE = 1M  
G
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
C
E
Isolated Tab  
IC25  
IC110  
IF110  
ICM  
TC = 25C  
75  
52  
A
A
A
A
G = Gate  
E = Emitter  
C
= Collector  
TC = 110C  
TC = 110C  
TC = 25C, 1ms  
32  
400  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 125C, RG = 3  
ICM = 150  
A
Features  
(RBSOA)  
Clamped Inductive Load  
VCE VCES  
PC  
TC = 25C  
200  
W
Silicon Chip on Direct-Copper Bond  
(DCB) Substrate  
TJ  
-55 ... +150  
150  
C  
C  
C  
Isolated Mounting Surface  
2500V Electrical Isolation  
Optimized for Low Conduction Losses  
Square RBSOA  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
VISOL  
FC  
50/60 Hz, RMS, t = 1minute  
Mounting Force  
2500  
V~  
Anti-Parallel Ultra Fast Diode  
International Standard Package  
20..120/4.5..27  
N/lb  
TL  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Advantages  
TSOLD  
High Power Density  
Low Gate Drive Requirement  
Weight  
5
g
Applications  
Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
Lamp Ballasts  
Inrush Current Protection Circuits  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250A, VCE = VGE  
3.0  
5.0  
V
VCE = VCES, VGE = 0V  
300 A  
mA  
TJ = 125C  
5
IGES  
VCE = 0V, VGE = 20V  
100 nA  
1.45 V  
VCE(sat)  
IC = 60A, VGE = 15V, Note 1  
DS100143B(01/14)  
© 2014 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
1234567

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IXGR72N60A3H1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXGR50N60A2U1 IXYS

完全替代

 Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS247, 3 PIN

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXGR72N60A3U1 IXYS

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 		600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
IXGR72N60B3D1 LITTELFUSE

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXGR72N60B3D1 IXYS

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS247, 3 PIN
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 		High Voltage IGBT

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