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IXGR60N60U1

更新时间： 2024-02-16 14:23:41

品牌	Logo	应用领域
IXYS		二极管双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	115K
描述
LowV-CE(sat) IGBT with Diode ISOPLUS247-TM (Electrically Isolated Back Surface)

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IXGR60N60U1 数据手册

V_CES

I_C25

= 600 V

= 75 A

Low V_CE(sat)IGBT

with Diode

IXGR 60N60U1

V_CE(sat)= 1.7 V

ISOPLUS247^TM

(Electrically Isolated Back Surface)

Preliminary data

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

ISOPLUS247^TM

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

600

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C100

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

200

Isolated back surface*

G = Gate,

C = Collector,

SSOA V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 W

I_CM= 100

E = Emitter,

TAB = Collector

(RBSOA)

Clamped inductive load; V_CL= 0.8 V_CES

*Patentpending

P_C

T_C= 25°C

300

T_J

T_JM

T_stg

-55 ..+ 150

150

-55...+ 150

°C

Features

• SiliconchiponDirect-Copper-Bond

substrate

- High power dissipation

- Isolated mounting surface

- 2500V electricalisolation

• Low collector to tab capacitance

(<25pF)

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

2500

°C

V_ISOL

Weight

50/60Hz, RMS, t = 1minute, leads-to tab

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Fast intrinsic Rectifier

• Low V_CE(sat)IGBT and standard diode

forminimumon-stateconduction

losses

• MOS Gate turn-on for drive simplicity

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Applications

min. typ. max.

• Solid state relays

• Capacitor discharge circuits

• High power ignition circuits

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 1 mA, V_GE= 0 V

600

2.5

I_C= 250 mA, V_CE= V_GE

5.5

I_CES

V_CE= V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 150°C

250

Advantages

• Space savings (two devices in one

package)

• Reduces assembly time and cost

• High power density

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100

V_CE(sat)

I_C= I_C100, V_GE= 15 V

1.7

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98595C (7/00)

1 - 5

12 3 4 5

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