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IXGR50N90B2D1

更新时间： 2024-01-28 19:57:52

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅
页数	文件大小	规格书
6页	216K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, ISOPLUS247, 3 PIN

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IXGR50N90B2D1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	ISOPLUS247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.73
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	200 A
集电极-发射极最大电压：	900 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXGR50N90B2D1 数据手册

IXGR 50N90B2D1

HiPerFAST^TM

IGBT with Fast

Diode

V_CES

I_C25

= 900 V

= 40 A

IXGR 50N90B2D1

V_CE(sat)= 2.9 V

t_fityp= 200 ns

B2-Class High Speed IGBT

with Fast Diode

(Electrically Isolated Back Surface)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

ISOPLUS247 (IXGR)

E153432

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

900

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

ISOLATEDTAB

I_C25

I_C110

I_F110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C (IGBT)

T_C= 110°C (diode)

T_C= 25°C, 1 ms

G = Gate

C = Collector

TAB = Collector

E = Emitter

200

SSOA

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 Ω

^{Clamped inductive load @}≤ 720V

I_CM= 100

(RBSOA)

Features

P_C

T_C= 25°C

100

ꢀElectrically isolated tab

ꢀInternationalstandardpackageoutline

ꢀHigh current handling capability

ꢀMOS Gate turn-on

ꢀDrive simplicity

ꢀRugged NPT structure

ꢀUL recognized

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

V_ISOL

F_C

50/60 Hz, RMS, t = 1ms

2500

N/lb

Mounting force (PLUS247)

20..120 / 4.5..25

ꢀMolding epoxies meet UL94V-0

flammabilityclassification

Weight

ISOPLUS247

Applications

ꢀCapacitor discharge & pulser circuits

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

ꢀAC motor speed control

ꢀDC servo and robot drives

ꢀDC choppers

V_GE(th)

I_C= 250 μA, V_CE= V_GE

3.0

5.0

I_CES

V_CE= V_CES

V_GE= 0 V

μA

ꢀUninterruptible power supplies (UPS)

T_J= 150°C

ꢀSwitched-mode and resonant-mode

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE

20 V

100

2.9

power supplies

V_CE(sat)

I_C= I_T, V_GE= 15 V, Note 1, 2

2.2

T_J= 125°C

DS99528(03/06)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGR55N120A3H1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, ISOPLUS2
IXGR55N120A3H1	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXGR60N60B2	IXYS	获取价格	IGBT 600V 75A 250W ISOPLUS247
IXGR60N60B2D1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS 247, 3 PIN
IXGR60N60C2	IXYS	获取价格	Lightspeed 2TM Series (Electrically Isolated Back Surface)
IXGR60N60C2C1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS247, TO-247A
IXGR60N60C2D1	IXYS	获取价格	Lightspeed 2TM Series (Electrically Isolated Back Surface)
IXGR60N60C3C1	IXYS	获取价格	GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode
IXGR60N60C3C1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGR60N60C3D1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS247, 3 PIN

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