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IXGR55N120A3H1

更新时间： 2024-01-24 02:17:36

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IXYS		栅
页数	文件大小	规格书
2页	94K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, ISOPLUS247, 3 PIN

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IXGR55N120A3H1 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	ISOPLUS247, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.73	其他特性：	ULTRA FAST, LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	70 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	200 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	1253 ns
标称接通时间 (ton)：	70 ns	Base Number Matches：	1

IXGR55N120A3H1 数据手册

Advance Technical Information

GenX3^TM1200V

IGBT w/ Diode

V_CES= 1200V

I_C110= 30A

V_CE(sat)≤ 2.35V

IXGR55N120A3H1

(Electrically Isolated Tab)

Ultra-Low-Vsat PT IGBTs for

up to 3kHz Switching

ISOPLUS 247^TM

Symbol

V_CES

Test Conditions

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

Continuous

Maximum Ratings

1200

±20

V_CGR

Isolated Tab

V_GES

V_GEM

Transient

±30

G = Gate

C = Collector

E = Emitter

I_C25

I_C110

I_F110

I_CM

T_C= 25°C ( Chip Capability )

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

330

Features

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 3Ω

I_CM= 110

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

@ 0.8 • V_CES

^zSilicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

P_C

T_C= 25°C

200

^zIsolated Mounting Surface

^z2500V~ Electrical Isolation

^zAnti-Parallel Ultra Fast Diode

^zOptimized for Low Conduction Losses

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10

300

260

°C

Advantages

V_ISOL

50/60 Hz, 1 minute

Mounting Force

2500

^zHigh Power Density

^zLow Gate Drive Requirement

F_C

20..120/4.5..27

N/lb.

Weight

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^zPower Inverters

^zUPS

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

V_GE(th)

I_CES

I_C= 1mA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

3.0

5.0

^zMotor Drives

25 μA

^zSMPS

^zPFC Circuits

Note 1, T_J= 125°C

1.5 mA

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

^zInrush Current Protection Circuits

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 55A, V_GE= 15V, Note 2

T_J= 125°C

2.35

2.20

DS100219(12/09)

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