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IXGR60N60C2C1

更新时间： 2024-02-22 07:11:38

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	182K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS247, TO-247AD, 3 PIN

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IXGR60N60C2C1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	ISOPLUS247, TO-247AD, 3 PIN	针数：	247
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.67
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	75 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	261 ns	标称接通时间 (ton)：	77 ns
Base Number Matches：	1

IXGR60N60C2C1 数据手册

HiperFAST^TMIGBT

w/ SiC Anti-Parallel

Diode

V_CES

I_C110

V_CE(sat)

t_fi(typ)

= 600V

= 39A

≤£ 2.7V

= 54ns

IXGR60N60C2C1

(Electrically Isolated Back Surface)

ISOPLUS 247^TM

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

ISOLATED TAB

I_C25

I_C110

I_F110

I_CM

T_C= 25°C (Limited by Leads)

T_C= 110°C

G = Gate

E = Emitter

C = Collector

T_C= 25°C, 1ms

300

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 2Ω

Clamped Inductive Load

I_CM= 100

Features

(RBSOA)

@ V_CE≤ 600

P_C

T_C= 25°C

250

^zSilicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

^zIsolated Mounting Surface

^zHigh Speed Silicon Carbide Schottky

Co-Pack Diode

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

- No Reverse Recovery

^z2500V Electrical Isolation

V_ISOL

50/60 Hz, RMS, t = 1minute

2500

3000

I_ISOL< 1mA

t = 10 s

F_C

Mounting Force

20..120/4.5..27

N/lb

Advantages

T_L

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

300

260

°C

^zHigh Power Density

^zLow Gate Drive Requirement

T_SOLD

Weight

Applications

^zHigh Frequency Power Inverters

^zUPS

^zMotor Drives

^zSMPS

^zPFC Circuits

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

2.5

5.0

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

250 μA

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 50A, V_GE= 15V, Note 1

T_J= 125°C

2.17

1.83

2.70

DS100089A(4/09)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXGR60N60C3C1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGR60N60C3D1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS247, 3 PIN
IXGR60N60C3D1	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
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