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IXGR40N60CD1 PDF预览

IXGR40N60CD1

更新时间： 2024-11-04 21:54:35
品牌 Logo 应用领域
IXYS 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 263K
描述
HiPerFAST IGBT ISOPLUS247

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IXGR40N60CD1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-247AD
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.67
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：75 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：150 ns门极发射器阈值电压最大值：5 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-247AD
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：200 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：255 ns标称接通时间 (ton)：60 ns
Base Number Matches：1

IXGR40N60CD1 数据手册

 浏览型号IXGR40N60CD1的Datasheet PDF文件第2页 
Advanced Technical Information  
HiPerFASTTM IGBT  
VCES = 600 V  
IC25 = 75 A  
VCE(sat) = 2.5 V  
tfi(typ) = 75 ns  
IXGR 40N60C  
IXGR 40N60CD1  
ISOPLUS247TM  
(Electrically Isolated Backside)  
(D1)  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
ISOPLUS 247  
E153432  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
600  
600  
V
V
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MW  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
G
C
E
Isolated Backside*  
IC25  
IC110  
ICM  
TC = 25°C  
75  
35  
A
A
A
TC = 110°C  
TC = 25°C, 1 ms  
150  
G = Gate,  
E=Emitter  
C = Collector  
SSOA  
VGE = 15 V, TVJ = 125°C, RG = 10 W  
ICM = 80  
A
(RBSOA)  
Clamped inductive load  
@ 0.8 VCES  
* Patent pending  
PC  
TC = 25°C  
200  
W
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
Features  
TJM  
Tstg  
l DCB Isolated mounting tab  
-55 ... +150  
l Meets TO-247AD package Outline  
l High current handling capability  
l Latest generation HDMOSTM process  
l MOS Gate turn-on  
- drive simplicity  
Maximum lead temperature for soldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
300  
°C  
Md  
Mounting torque (M3)  
1.13/10Nm/lb.in.  
Weight  
5
g
Applications  
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
Min. Typ. Max.  
l Uninterruptible power supplies (UPS)  
l Switched-mode and resonant-mode  
power supplies  
l AC motor speed control  
l DC servo and robot drives  
l DC choppers  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250 mA, VGE = 0 V  
IC = 750 mA  
40N60C  
40N60CD1  
600  
600  
V
IC = 250 mA, VCE = VGE  
IC = 500 mA  
40N60C  
40N60CD1 2.5  
2.5  
5.0  
5.0  
V
V
VCE = 0.8 • VCES TJ = 25°C  
VGE = 0 V; note 1 TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
40N60C  
40N60CD1  
40N60C  
200 mA  
650 mA  
Advantages  
1
mA  
TJ = 125°C  
40N60CD1  
3
mA  
l Easy assembly  
l High power density  
l Very fast switching speeds for high  
IGES  
VCE = 0 V, VGE = ±20 V  
IC = IT, VGE = 15 V  
±100 nA  
2.5  
VCE(sat)  
V
frequency applications  
© 2001 IXYS All rights reserved  
98803 (01/01)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXGR45N120 IXYS

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