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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | ISOPLUS |
| 包装说明： | ISOPLUS247, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.73 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 75 A | 配置： | SINGLE |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGR48N60B3 | IXYS |
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600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications |
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| IXGR48N60B3D1 | IXYS |
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600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications |
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| IXGR48N60B3D1 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGR48N60C3D1 | IXYS |
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600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications |
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| IXGR48N60C3D1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGR50N160H1 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1600V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, ISOPLUS24 |
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| IXGR50N60A2U1 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS247, 3 PIN |
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| IXGR50N60B | IXYS |
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HiPerFAST IGBT ISOPLUS247 |
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| IXGR50N60B2 | IXYS |
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B2-Class High Speed IGBTs (Electrically Isolated Back Surface) |
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| IXGR50N60B2D1 | IXYS |
获取价格 |
B2-Class High Speed IGBTs (Electrically Isolated Back Surface) |
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