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IXGR50N160H1

更新时间： 2024-11-05 19:57:23

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	93K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1600V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, ISOPLUS247, 3 PIN

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IXGR50N160H1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	ISOPLUS
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	75 A
集电极-发射极最大电压：	1600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	240 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	4840 ns	标称接通时间 (ton)：	192 ns
Base Number Matches：	1

IXGR50N160H1 数据手册

Advance Technical Information

High Voltage IGBT

with Diode

V_CES

I_C110

= 1600V

= 36A

IXGR50N160H1

V_CE(sat)≤ 2.30V

( Electrically Isolated Tab)

ISOPLUS247^TM

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1600

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

Isolated Tab

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C, Lead RMS limit

T_C= 110°C

G = Gate

E = Emitter

C = Collector

T_C= 25°C, 1ms

330

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 5Ω

I_CM= 100

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

@ 0.8 • V_CES

P_C

T_C= 25°C

240

Features

T_J

-55 ... +150

150

°C

^zInternational Standard Package

^zMolding Epoxies Meet UL 94 V-0

Flammability Classification

T_JM

T_stg

-55 ... +150

F_C

Mounting Force

20..120/4.5..27

N/lb.

Advantages

T_L

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

^zSpace Savings

^zHigh Power Density

T_SOLD

V_ISOL

50/60Hz, RMS, 1 minute

2500

3000

I_ISOL≤ 1mA

t = 1s

Applications

Weight

^zCapacitor Discharge & Pulser Circuits

^zAC Motor Speed Drives

^zDC Servo and Robot Drives

^zDC Choppers

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^zUninterruptible Power Supplies (UPS)

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1600

3.0

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 1mA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= 0.8 • V_CES, V_GE= 0V

5.0

85 μA

Note 1, T_J= 125°C

6 mA

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 50A, V_GE= 15V, Note 2

1.95

2.30

T_J= 125°C

DS99837A(10/09)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXGR50N60B2	IXYS	获取价格	B2-Class High Speed IGBTs (Electrically Isolated Back Surface)
IXGR50N60B2D1	IXYS	获取价格	B2-Class High Speed IGBTs (Electrically Isolated Back Surface)
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IXGR50N90B2D1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, ISOPLUS2
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