5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGR40N60C2D1
IXGR40N60C2D1 PDF预览

IXGR40N60C2D1

更新时间： 2024-01-19 09:28:54
品牌 Logo 应用领域
IXYS 晶体晶体管功率控制双极性晶体管PC
页数 文件大小 规格书
6页 183K
描述
HiPerFASTTM IGBT ISOPLUS247TM C2-Class High Speed IGBTs

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXGR40N60C2D1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：ISOPLUS
包装说明：ISOPLUS247, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.7
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：11764048Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：Transistor IGBTSamacsys Package Category：Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name：ISOPLUS 247Samacsys Released Date：2020-04-27 07:51:16
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：56 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：210 ns
标称接通时间 (ton)：38 nsBase Number Matches：1

IXGR40N60C2D1 数据手册

 浏览型号IXGR40N60C2D1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXGR40N60C2D1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXGR40N60C2D1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXGR40N60C2D1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXGR40N60C2D1的Datasheet PDF文件第6页 
HiPerFASTTM IGBT  
ISOPLUS247TM  
IXGR 40N60C2  
IXGR 40N60C2D1  
VCES = 600 V  
IC25 = 56 A  
VCE(SAT) = 2.7 V  
tfi(typ = 32 ns  
C2-Class High Speed IGBTs  
(Electrically Isolated Back Surface)  
PreliminaryDataSheet  
ISOPLUS 247TM  
(IXGR)  
IXGR_C2  
IXGR_C2D1  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
G
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
600  
600  
V
C
TAB  
E
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ  
V
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
G = Gate  
E = Emitter  
C = Collector  
IC25  
IC110  
ID110  
ICM  
TC = 25°C  
56  
A
A
A
A
Features  
TC = 110°C  
26  
27  
z
DCB Isolated mounting tab  
Meets TO-247AD package Outline  
High current handling capability  
Latest generation HDMOSTM process  
MOS Gate turn-on  
TC = 110°C (40N60C2D1)  
TC = 25°C, 1 ms  
z
z
z
z
200  
SSOA  
(RBSOA)  
VGE = 15 V, TVJ = 125°C, RG = 10 Ω  
Clamped inductive load @ VCE ≤ 600 V  
ICM = 80  
A
- drive simplicity  
PC  
TC = 25°C  
170  
W
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
Applications  
TJM  
Tstg  
z
Uninterruptible power supplies (UPS)  
-55 ... +150  
z
Switched-mode and resonant-mode  
power supplies  
AC motor speed control  
DC servo and robot drives  
DC choppers  
Maximum Lead temperature for soldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
300  
°C  
z
z
z
VISOL  
50/60 Hz, RMS, t = 1 minute, IISOL < 1 mA  
2500  
V~  
N/lb.  
FC  
Mounting force  
20..120/4.5..25  
4
Advantages  
Weight  
g
z
Easy assembly  
High power density  
Very fast switching speeds for high  
z
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C unless otherwise specified)  
min. typ. max.  
z
frequency applications  
BVCES  
VGE(th)  
IC = 250μA, VGE = 0 V  
IC = 250 μA, VCE = VGE  
600  
3.0  
V
5.0  
V
ICES  
VCE = VCES  
VGE = 0 V  
40N60C2  
40N60C2/D1  
50  
100  
μA  
μA  
IGES  
VCE = 0 V, VGE = 20 V  
IC = 30 A, VGE = 15 V  
100  
2.7  
nA  
VCE(sat)  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
2.2  
2.0  
V
V
DS99052C(10/05)  
© 2005 IXYS All rights reserved  
123456

中文翻译

下载PDF

与IXGR40N60C2D1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXGR40N60CD1 IXYS

获取价格

 		HiPerFAST IGBT ISOPLUS247
IXGR45N120 IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), N-Channel, ISOPLUS247, 3 PIN
IXGR48N60B3 IXYS

获取价格

 		600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
IXGR48N60B3D1 IXYS

获取价格

 		600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
IXGR48N60B3D1 LITTELFUSE

获取价格

 		GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGR48N60C3D1 IXYS

获取价格

 		600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
IXGR48N60C3D1 LITTELFUSE

获取价格

 		GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGR50N160H1 IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1600V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, ISOPLUS24
IXGR50N60A2U1 IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS247, 3 PIN
IXGR50N60B IXYS

获取价格

 		HiPerFAST IGBT ISOPLUS247

与IXGR40N60C2D1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证