Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGP8N100

IXGP8N100

更新时间： 2024-11-04 21:55:07

品牌	Logo	应用领域
IXYS		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数	文件大小	规格书
2页	105K
描述
IXGA8N100

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXGP8N100 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	TO-220AB, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.73	其他特性：	LOW SATURATION VOLTAGE
最大集电极电流 (IC)：	16 A	集电极-发射极最大电压：	1000 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	54 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	900 ns	标称接通时间 (ton)：	15 ns
Base Number Matches：	1

IXGP8N100 数据手册

IXGA 8N100 V_CES= 1000 V

IGBT

IXGP 8N100 I_C25

V_CE(sat)

16 A

2.7 V

Preliminary data sheet

TO-220AB (IXGP)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1000

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

TO-263 (IXGA)

SSOA

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 120 W

I_CM= 16

(RBSOA)

Clampedinductiveload

@ 0.8 V_CES

P_C

T_C= 25°C

C (TAB)

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Features

• Internationalstandardpackages

JEDEC TO-220AB and TO-263AA

• Low V_CE(sat)

M_d

Mounting torque with screw M3

Mounting torque with screw M3.5

0.45/4 Nm/lb.in.

0.55/5 Nm/lb.in.

- forminimumon-stateconduction

losses

• MOS Gate turn-on

Weight

TO-220

TO-263

- drive simplicity

Applications

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switch-modeandresonant-mode

powersupplies

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 1 mA, V_GE= 0 V

1000

2.5

I_C= 250 mA, V_CE= V_GE

5.0

• Capacitordischarge

I_CES

V_CE= 0.8 V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

250

Advantages

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100

• Easy to mount with one screw

• Reduces assembly time and cost

• High power density

V_CE(sat)

I_C= I_CE90, V_GE= 15V

2.2

2.7

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98565B (7/00)

1 - 2

中文翻译

下载PDF

与IXGP8N100相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGQ100N100Y3	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 1KV V(BR)CES \| 100A I(C)
IXGQ100N50Y4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 500V V(BR)CES \| 100A I(C)
IXGQ100N60Y4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 600V V(BR)CES \| 100A I(C)
IXGQ150N100Y3	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 1KV V(BR)CES \| 150A I(C)
IXGQ150N100Y4	IXYS	获取价格	Transistor
IXGQ150N33TC	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 330V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, TO-3P, 3
IXGQ150N33TCD1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 330V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, TO-3P, 3
IXGQ150N60Y3	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 600V V(BR)CES \| 150A I(C)
IXGQ170N30PB	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 170A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, TO-3P, 3 PIN
IXGQ200N100Y3	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 1KV V(BR)CES \| 200A I(C)

与IXGP8N100相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGP8N100

IXGP8N100 技术参数

IXGP8N100 数据手册

与IXGP8N100相关器件

与IXGP8N100相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGP8N100

IXGP8N100 技术参数

IXGP8N100 数据手册

与IXGP8N100相关器件

与IXGP8N100相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？