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IXGQ200N60Y3

更新时间： 2024-01-26 04:57:06

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管双极性晶体管栅
页数	文件大小	规格书
3页	161K
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TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 600V V(BR)CES \| 200A I(C)

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IXGQ200N60Y3 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.73
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	200 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	门极-发射极最大电压：	20 V
元件数量：	1	最高工作温度：	150 °C
最大功率耗散 (Abs)：	800 W	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
VCEsat-Max：	4 V	Base Number Matches：	1

IXGQ200N60Y3 数据手册

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IXGQ240N30PB	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 240A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, TO-3P, 3 PIN
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