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IXGQ240N30PB

更新时间： 2024-11-18 20:01:15

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IXYS		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	152K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 240A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, TO-3P, 3 PIN

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IXGQ240N30PB 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	TO-3P, 3 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.71	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	240 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	500 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	PURE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	203 ns
标称接通时间 (ton)：	133 ns	Base Number Matches：	1

IXGQ240N30PB 数据手册

Polar^TMHigh Speed

IGBT

V_CES= 300V

I_CP= 500A

IXGQ240N30PB

V_CE(sat)≤ 1.6V

For PDP Applications

TO-3P

Symbol

V_CES

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

300

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

Tab

I_C25

I_CP

T_C= 25°C (Chip Capability)

T_J≤ 150°C, tp < 10μs

240

500

G = Gate

= Collector

I_C(RMS)

Lead Current Limit

E = Emitter Tab = Collector

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 1Ω

I_CM= 240

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

V_CE≤ V_CES

P_d

T_C= 25°C

500

Features

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

°C

• Low V_CE(sat)

-55 ... +150

- for Minimum On-State Conduction

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Losses

• MOS Gate Turn-On

- Drive Simplicity

M_d

Mounting Torque

1.13/10

5.5

Nm/lb.in.

Weight

Applications

• PDP Screen Drivers

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified

Min.

300

3.0

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 1mA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

5.0

μA

T_J= 125°C

200 μA

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 120A, V_GE= 15V, Note 1

T_J= 125°C

1.35

1.40

1.85

2.10

1.60

I_C= 240A

T_J= 125°C

DS99525C(06/07)

12 3 4 5

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