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IXGQ35N120BD1

更新时间： 2024-11-18 18:54:19

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	551K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-3P, 3 PIN

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IXGQ35N120BD1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	TO-3P, 3 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.73
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	75 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	780 ns	标称接通时间 (ton)：	105 ns
Base Number Matches：	1

IXGQ35N120BD1 数据手册

Advanced Technical Information

IXGQ 35N120BD1

High Voltage IGBT

with Diode

V_CES

I_C25

= 1200 V

= 75 A

V_CE(sat)= 3.3 V

t_fi(typ)

= 160 ns

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-3P(IXGQ)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

1200

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

I_C25

I_C110

T_C= 25°C

T_C= 110°C

(TAB)

I_F110

= 110°C

I_CM

T^C_C= 25°C, 1 ms

200

G = Gate

C = Collector

E = Emitter

TAB = Collector

SSOA

= 15 V, T_J= 125°C, R_G= 10 Ω

I_CM= 120

(RBSOA)

C^Gla^Emped inductive load

@0.8 V_CES

Features

P_C

T_C= 25°C

400

International standard packages

IGBT and anti-parallel FRED for

resonant power supplies

- Induction heating

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

- Rice cookers

M_d

Mounting torque

1.13/10 Nm/lb.in.

MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Fast Recovery Expitaxial Diode (FRED)

- soft recovery with low I_RM

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Weight

Symbol

Advantages

TestConditions

Characteristic Values

Saves space (two devices in one

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

package)

min. typ. max.

Easy to mount with 1 screw

(isolated mounting screw hole)

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

2.5

5.0

Reduces assembly time and cost

V_CE= V

T=25°C

50 µA

V_GE= 0^CV^ES

T=125°C

250 µA

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V

100 nA

V_CE(sat)

I_C

= 35A, V_GE= 15 V

2.7

3.3

Note 2

DS99195(07/04)

12 3 4 5 6

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