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IXGQ28N120BD1

更新时间： 2024-01-15 15:06:33

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力特 - LITTELFUSE		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	506K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-3P, 3 PIN

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IXGQ28N120BD1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.68	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	50 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	550 ns
标称接通时间 (ton)：	63 ns	Base Number Matches：	1

IXGQ28N120BD1 数据手册

High Voltage IGBT with Diode

V_CES

I_C25

= 1200 V

= 50 A

IXGQ 28N120B

IXGQ 28N120BD1

V_CE(sat)= 3.5 V

t_fi(typ)

= 160 ns

TO-3P(IXGQ)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1200

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

(TAB)

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

G = Gate

E = Emitter

C = Collector

T_C= 25°C, 1 ms

150

TAB = Collector

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_J= 125°C, R_G= 10 Ω

Clamped inductive load

I_CM= 60

@0.8 V_CES

P_C

T_C= 25°C

250

Features

^zInternational standard package

^zIGBT and anti-parallel FRED for

resonant power supplies

- Induction heating

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

- Rice cookers

M_d

Mounting torque

1.13/10 Nm/lb.in.

^zMOS Gate turn-on

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

- drive simplicity

^zFast Recovery Expitaxial Diode (FRED)

- soft recovery with low I_RM

Weight

Advantages

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

^zSaves space (two devices in one

package)

Easy to mount with 1 screw

(isolated mounting screw hole)

Reduces assembly time and cost

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

2.5

5.0

V_CE= V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

28N120B

28N120BD1

25 µA

50 µA

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V

100 nA

V_CE(sat)

I_C

= 28A, V_GE= 15 V

2.9

2.8

3.5

Note 2

T=125°C

DS99135(12/03)

12 3 4 5 6

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