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IXGQ150N33TCD1

更新时间： 2024-01-02 07:49:42

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IXYS		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	194K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 330V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, TO-3P, 3 PIN

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IXGQ150N33TCD1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Lifetime Buy	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	PLASTIC, TO-3P, 3 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.72
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	150 A
集电极-发射极最大电压：	330 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	30 V
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	132 ns	标称接通时间 (ton)：	42 ns
Base Number Matches：	1

IXGQ150N33TCD1 数据手册

Trench Gate High Speed

IXGA150N33TC

IXGQ150N33TC

IXGQ150N33TCD1

V_CES

I_CP

= 330V

= 400A

IGBT

V_CE(sat)≤ 1.8V

For PDP Applications

150N33TC

150N33TCD1

TO-263 (IXGA)

Symbol

V_CES

Test Conditions

Maximum Ratings

T_C= 25°C to 150°C

330

V_GEM

Transient

± 30

(TAB)

I_C25

I_CP

T_C= 25°C, IGBT chip capability

T_J≤ 150°C, tp < 10 μs

Lead current limit

150

400

TO-3P (IXGQ)

I_DP

I_C(RMS)

P_C

T_C= 25°C

300

T_J

-55 ... +150

°C

(TAB)

T_JM

T_stg

150

-55 ... +150

G = Gate

E = Emitter

= Collector

T_L

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

TAB = Collector

T_SOLD

M_d

Mounting torque (TO-220)(TO-3P)

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

TO-263

TO-3P

2.5

5.5

Features

•International standard packages

•Low V_CE(sat)

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

330

3.0

Typ.

Max.

- for minimum on-state conduction

losses

BV_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

•Fast switching

V_GE(th)

I_CES

5.0

V_CE= 330 V

V_GE= 0 V

μA

Applications

T_J= 125°C

200 μA

• PDP Screen Drivers

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

V_GE= 15V, I_C= 75A

±100 nA

V_CE(sat)

1.48

1.49

1.83

1.97

1.8

T_J= 125°C

I_C= 150A

DS99757A(09/08)

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