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| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.68 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 100 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| 元件数量： | 1 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 400 W | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| VCEsat-Max： | 4 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGQ150N100Y3 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 150A I(C) |
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| IXGQ150N100Y4 | IXYS |
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Transistor |
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| IXGQ150N33TC | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 330V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, TO-3P, 3 |
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| IXGQ150N33TCD1 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 330V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, TO-3P, 3 |
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| IXGQ150N60Y3 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 150A I(C) |
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| IXGQ170N30PB | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 170A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, TO-3P, 3 PIN |
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| IXGQ200N100Y3 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 200A I(C) |
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| IXGQ200N100Y4 | IXYS |
获取价格 |
Transistor |
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| IXGQ200N60Y3 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 200A I(C) |
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| IXGQ20N120B | IXYS |
获取价格 |
High Voltage IGBT with Diode |
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