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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGQ150N100Y4 | IXYS |
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Transistor |
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| IXGQ150N33TC | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 330V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, TO-3P, 3 |
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| IXGQ150N33TCD1 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 330V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, TO-3P, 3 |
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| IXGQ150N60Y3 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 150A I(C) |
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| IXGQ170N30PB | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 170A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, TO-3P, 3 PIN |
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| IXGQ200N100Y3 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 200A I(C) |
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| IXGQ200N100Y4 | IXYS |
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Transistor |
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| IXGQ200N60Y3 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 200A I(C) |
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| IXGQ20N120B | IXYS |
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High Voltage IGBT with Diode |
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| IXGQ20N120B | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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