是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.82 |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 14 A |
集电极-发射极最大电压: | 600 V | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最大降落时间(tf): | 110 ns | 门极发射器阈值电压最大值: | 5.5 V |
门极-发射极最大电压: | 20 V | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 54 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 205 ns | 标称接通时间 (ton): | 25 ns |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXYP8N90C3D1 | IXYS |
功能相似 |
900V XPTTM IGBT |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXGP8N100 | IXYS |
获取价格 |
IXGA8N100 | |
IXGP8N100 | LITTELFUSE |
获取价格 |
IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 | |
IXGQ100N100Y3 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 100A I(C) | |
IXGQ100N50Y4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 500V V(BR)CES | 100A I(C) | |
IXGQ100N60Y4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 100A I(C) | |
IXGQ150N100Y3 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 150A I(C) | |
IXGQ150N100Y4 | IXYS |
获取价格 |
Transistor | |
IXGQ150N33TC | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 330V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, TO-3P, 3 | |
IXGQ150N33TCD1 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 330V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, TO-3P, 3 | |
IXGQ150N60Y3 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 150A I(C) |