Datasheet > IXYP8N90C3D1

IXYP8N90C3D1

更新时间： 2024-11-21 01:19:51

品牌	Logo	应用领域
IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	336K
描述
900V XPTTM IGBT

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXYP8N90C3D1 数据手册

900V XPT^TMIGBT

GenX3^TMw/ Diode

V_CES= 900V

I_C110= 8A

V_CE(sat) 3.0V

t_fi(typ)= 130ns

IXYA8N90C3D1

IXYP8N90C3D1

High-Speed IGBT

for 20-50 kHz Switching

TO-263 AA (IXYA)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

900

C (Tab)

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

TO-220AB (IXYP)

I_C25

I_C110

I_F110

T_C= 25°C

T_C= 110°C

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

C (Tab)

I_A

E_AS

T_C= 25°C

G = Gate

E = Emitter

= Collector

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 30

I_CM= 16

Tab = Collector

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

@V_CE V_CES

P_C

T_C= 25°C

125

Features

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C



Optimized for Low Switching Losses

Square RBSOA

Positive Thermal Coefficient of

Vce(sat)

-55 ... +175



T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



Anti-Parallel Ultra Fast Diode

Avalanche Rated

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-220)

Mounting Force (TO-263)

1.13/10

10..65 / 2.2..14.6

Nm/lb.in.

N/lb.

International Standard Packages

Weight

TO-263

TO-220

2.5

3.0

Advantages



High Power Density

Low Gate Drive Requirement



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

950

3.5

Typ.

Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V



6.0

High Frequency Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts



60 A



T_J= 125C

400 μA



I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

100 nA



V_CE(sat)

I_C= 8A, V_GE= 15V, Note 1

2.15

2.60

3.00



DS100400C(12/14)

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

IXYP8N90C3D1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXGP7N60CD1	IXYS	功能相似	HiPerFAST IGBT with Diode Lightspeed Series

与IXYP8N90C3D1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXYQ40N65B3D1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYQ40N65C3D1	IXYS	获取价格	Advance Technical Information
IXYQ40N65C3D1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYR100N120C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYR50N120C3D1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYT12N250CV1HV	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYT20N120C3D1HV	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYT30N450HV	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYT30N65C3H1HV	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYT40N120A4HV	LITTELFUSE	获取价格	通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达

与IXYP8N90C3D1相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

25
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

17
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXYP8N90C3D1

IXYP8N90C3D1 数据手册

IXYP8N90C3D1 替代型号

与IXYP8N90C3D1相关器件

与IXYP8N90C3D1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXYP8N90C3D1

IXYP8N90C3D1 数据手册

IXYP8N90C3D1 替代型号

与IXYP8N90C3D1相关器件

与IXYP8N90C3D1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？