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IXYT55N120A4HV

更新时间： 2024-11-05 21:10:59
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 栅
页数 文件大小 规格书
8页 1575K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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IXYT55N120A4HV 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
Base Number Matches：1

IXYT55N120A4HV 数据手册

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1200V XPTTM  
GenX4TM IGBT  
VCES = 1200V  
IC110 = 55A  
VCE(sat)  1.8V  
tfi(typ) = 270ns  
IXYT55N120A4HV  
IXYH55N120A4  
Ultra Low-Vsat PT IGBT for  
up to 5kHz Switching  
TO-268HV  
(IXYT..HV)  
G
E
C (Tab)  
TO-247  
(IXYH)  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
1200  
1200  
V
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M  
V
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
G
C
E
C (Tab)  
IC25  
IC110  
TC = 25°C  
TC = 110°C  
175  
55  
A
A
G = Gate  
D
= Collector  
S = Emitter  
Tab = Collector  
ICM  
TC = 25°C, 1ms  
350  
A
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 125°C, RG = 5  
ICM = 110  
A
(RBSOA)  
Clamped Inductive Load  
VCE 0.8 • VCES  
PC  
TC = 25°C  
650  
W
Features  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
Optimized for Low Conduction Losses  
Positive Thermal Coefficient of  
Vce(sat)  
-55 ... +175  
International Standard Packages  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Advantages  
Md  
Mounting Torque (TO-247)  
1.13 / 10  
Nm/lb.in  
Weight  
TO-268HV  
TO-247  
4
6
g
g
High Power Density  
Low Gate Drive Requirement  
Applications  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
1200  
4.0  
Typ.  
Max.  
Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250A, VGE = 0V  
IC = 250A, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
6.5  
5
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
Lamp Ballasts  
A  
TJ = 150C  
TJ = 150C  
2.5 mA  
IGES  
VCE = 0V, VGE = 20V  
100 nA  
Inrush Current Protector Circuits  
VCE(sat)  
IC = 55A, VGE = 15V, Note 1  
1.5  
1.8  
1.8  
V
V
©2020 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100983B(2/20)  
12345678

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与IXYT55N120A4HV相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXYT80N90C3 IXYS

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 		XPTTM 900V IGBT
IXYT80N90C3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYT85N120A4HV LITTELFUSE

获取价格

 		通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达
IXYX100N120B3 IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 225A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,
IXYX100N120B3 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYX100N120C3 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYX100N65B3D1 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYX100N65C3D1 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYX110N120A4 LITTELFUSE

获取价格

 		通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达
IXYX110N120B4 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热

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