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IXYX300N65A3

更新时间： 2024-11-06 14:56:43
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 315K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。 它们具有正集电

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XPTTM 650V IGBT  
GenX3TM  
IXYK300N65A3  
IXYX300N65A3  
VCES = 650V  
IC110 = 300A  
VCE(sat)  1.60V  
tfi(typ) = 160ns  
Ultra Low-Vsat PT IGBT  
TO-264  
(IXYK)  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
650  
650  
V
V
G
C
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M  
E
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
C (Tab)  
IC25  
ILRMS  
IC110  
TC = 25°C (Chip Capability)  
Terminal Current Limit  
TC = 110°C  
600  
160  
300  
A
A
A
PLUS247  
(IXYX)  
ICM  
TC = 25°C, 1ms  
1460  
A
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
100  
2
A
J
G
C
E
C (Tab)  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 1  
Clamped Inductive Load  
ICM = 600  
A
μs  
W
(RBSOA)  
@VCE VCES  
G = Gate  
E
= Emitter  
C = Collector  
Tab = Collector  
tsc  
VGE = 15V, VCE = 360V, TJ = 150°C  
8
(SCSOA)  
RG = 10, Non Repetitive  
PC  
TC = 25°C  
2300  
Features  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
International Standard Packages  
Square RBSOA  
Avalanche Rated  
Short Circuit Capability  
High Current Handling Capability  
-55 ... +175  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Md  
FC  
Mounting Torque (TO-264)  
Mounting Force (PLUS247)  
1.13/10  
Nm/lb.in  
N/lb  
20..120 /4.5..27  
Advantages  
Weight  
TO-264  
PLUS247  
10  
6
g
g
High Power Density  
Low Gate Drive Requirement  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Applications  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
650  
3.5  
Typ.  
Max.  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250μA, VGE = 0V  
IC = 250μA, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
5.0  
25 μA  
mA  
±200 nA  
TJ = 150°C  
1
IGES  
VCE = 0V, VGE = ±20V  
Lamp Ballasts  
VCE(sat)  
IC = 100A, VGE = 15V, Note 1  
TJ = 150°C  
1.32  
1.35  
1.60  
V
V
© 2019 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100872B(11/19)  
12345678

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与IXYX300N65A3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXYX30N170CV1 LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
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 		900V XPTTM IGBT
IXYY8N90C3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
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