Datasheet > IXYX120N120C3

IXYX120N120C3

更新时间： 2024-11-05 20:35:51

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	214K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 220A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXYX120N120C3 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	8.41	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	240 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1500 W
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	346 ns	标称接通时间 (ton)：	105 ns
Base Number Matches：	1

IXYX120N120C3 数据手册

1200V XPT^TMIGBTs

GenX3^TM

V_CES= 1200V

I_C110= 120A

V_CE(sat) 3.20V

t_fi(typ)= 96ns

IXYK120N120C3

IXYX120N120C3

High-Speed IGBTs

for 20-50 kHz Switching

TO-264 (IXYK)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

1200

Tab

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

PLUS247 (IXYX)

I_C25

T_C= 25°C (Chip Capability)

240

I_LRMS

I_C110

I_CM

Terminal Current Limit

T_C= 110°C

160

120

T_C= 25°C, 1ms

700

Tab

I_A

E_AS

T_C= 25°C

G = Gate

= Emitter

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 1

I_CM= 240

C = Collector

Tab = Collector

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

V_CE V_CES

P_C

T_C= 25°C

1500

Features

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C



Optimized for Low Switching Losses

Square RBSOA

International Standard Packages

Positive Thermal Coefficient of

Vce(sat)



-55 ... +175

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



Avalanche Rated

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in

N/lb

High Current Handling Capability

20..120 /4.5..27

Weight

TO-264

PLUS247

Advantages



High Power Density

Low Gate Drive Requirement



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1200

3.0

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 500A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

Applications

5.0



High Frequency Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS



25 A



T_J= 150C

1.5 mA



I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

100 nA



PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts

V_CE(sat)

I_C= I_C110, V_GE= 15V, Note 1

2.55

3.40

3.20

DS100451B(9/13)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与IXYX120N120C3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXYX140N120A4	LITTELFUSE	获取价格	通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达
IXYX140N90C3	IXYS	获取价格	XPTTM 900V IGBTs
IXYX140N90C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYX200N65B3	IXYS	获取价格	Advance Technical Information
IXYX200N65B3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYX25N250CV1	IXYS	获取价格	High Voltage XPT IGBT w/ Diode
IXYX25N250CV1HV	IXYS	获取价格	High Voltage XPT IGBT w/ Diode
IXYX300N65A3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYX30N170CV1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYX40N450HV	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、

与IXYX120N120C3相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXYX120N120C3

IXYX120N120C3 技术参数

IXYX120N120C3 数据手册

与IXYX120N120C3相关器件

与IXYX120N120C3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXYX120N120C3

IXYX120N120C3 技术参数

IXYX120N120C3 数据手册

与IXYX120N120C3相关器件

与IXYX120N120C3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？