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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | ISOPLUS 247, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 8.57 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 1200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8 A | 最大漏极电流 (ID)： | 8 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXZR08N120A | IXYS |
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Z-MOS RF Power MOSFET |
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| IXZR08N120B | IXYS |
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Z-MOS RF Power MOSFET |
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| IXZR16N60 | IXYS |
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Z-MOS RF Power MOSFET |
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| IXZR16N60A | IXYS |
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Z-MOS RF Power MOSFET |
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| IXZR16N60B | IXYS |
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Z-MOS RF Power MOSFET |
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| IXZR18N50 | IXYS |
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Z-MOS RF Power MOSFET |
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| IXZR18N50A | IXYS |
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Z-MOS RF Power MOSFET |
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| IXZR18N50B | IXYS |
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Z-MOS RF Power MOSFET |
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| IYD0551 | ETC |
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Optoelectronic |
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| IYD2151 | IDEA |
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T-1, 3 mm diameter package |
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