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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | ISOPLUS 247, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 8.57 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 1200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXZR08N120B | IXYS |
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Z-MOS RF Power MOSFET |
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| IXZR16N60 | IXYS |
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Z-MOS RF Power MOSFET |
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| IXZR16N60A | IXYS |
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Z-MOS RF Power MOSFET |
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| IXZR16N60B | IXYS |
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Z-MOS RF Power MOSFET |
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| IXZR18N50 | IXYS |
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Z-MOS RF Power MOSFET |
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| IXZR18N50A | IXYS |
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Z-MOS RF Power MOSFET |
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| IXZR18N50B | IXYS |
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Z-MOS RF Power MOSFET |
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| IYD0551 | ETC |
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Optoelectronic |
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| IYD2151 | IDEA |
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T-1, 3 mm diameter package |
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| IYD2351/HV5 | ETC |
获取价格 |
Optoelectronic |
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