IXZR18N50B

更新时间： 2024-11-18 07:02:55

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IXYS		晶体射频场效应晶体管开关
页数	文件大小	规格书
4页	165K
描述
Z-MOS RF Power MOSFET

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IXZR18N50B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.66	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	19 A	最大漏极电流 (ID)：	19 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	350 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXZR18N50B 数据手册

IXZR18N50 & IXZR18N50A/B

ZꢀMOSꢁRFꢁPowerꢁMOSFETꢁ

NꢁChannelꢀEnhancementꢀModeꢀSwitchꢀModeꢀRFꢀMOSFETꢀ

LowꢀCapacitanceꢀZꢁMOS_TMꢀMOSFETꢀProcessꢀ

OptimizedꢀforꢀRFꢀOperationꢀ

V_DSS

ꢀ

=ꢁ 500ꢁVꢁ

IdealꢀforꢀClassꢀC,ꢀD,ꢀ&ꢀEꢀApplicationsꢀ

I_D25ꢀ

=ꢁ

19ꢁAꢁ

R_DS(on)ꢀ≤ꢁ

P_DCꢀ

0.37ꢁꢀꢁ

Symbolꢁ

V_DSS

_DGRꢀ

V_GS

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

TestꢁConditionsꢁ

T_Jꢀ=ꢀ25°Cꢀtoꢀ150°Cꢀꢀ

T_Jꢀ=ꢀ25°Cꢀtoꢀ150°C;ꢀR_GSꢀ=ꢀ1ꢀMꢀꢀꢀ

Continuousꢀ

MaximumꢁRatingsꢁꢁ

=ꢁ 350ꢁWꢁ

ꢀ

500ꢀꢀ

Vꢀ

ꢀ

±20ꢀꢀ

±30ꢀꢀ

19ꢀꢀ

Vꢀ

Aꢀ

Transientꢀ

ꢀ

T_cꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ

ꢀ

T_cꢀ=ꢀ25°C,ꢀpulseꢀwidthꢀlimitedꢀbyꢀT_JMꢀꢀ

T_cꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ

ꢀ

95ꢀꢀ

ꢀ

19ꢀꢀ

T_cꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ

E_AR

ꢁ

ꢀ

TBDꢀꢀ mJꢀ

5ꢀꢀꢀ V/nsꢀ

I_Sꢀ≤ꢁI_DM,ꢀdi/dtꢀ≤ꢁ100A/ꢂs,ꢀV_DDꢀ≤ꢀV_DSS,ꢀꢀ

T_jꢀ≤ꢀ150°C,ꢀR_Gꢀ=ꢀ0.2ꢀꢀꢀ

dv/dtꢁꢁ

I_Sꢀ=ꢀ0ꢀ

>200ꢀꢀ V/nsꢀ

ꢀ

P_DC

P_DHS

P_DAMB

ꢀ

350ꢀꢀ

TBDꢀꢀ

3.0ꢀ

Wꢀ

T_cꢀ=ꢀ25°C,ꢀDerateꢀ4.4W/°Cꢀaboveꢀ25°Cꢀ

ꢀ

T_cꢀ=ꢀ25°Cꢀ

ꢀ

R_thJC

ꢀ

TBDꢀ C/Wꢀ

R_thJHS

ꢀ

Featuresꢁ

•ꢁ IsolatedꢀSubstrateꢀ

Symbolꢁ TestꢁConditions

CharacteristicꢁValues

−ꢁ highꢀisolationꢀvoltageꢀ(>2500V)ꢀ

−ꢁ excellentꢀthermalꢀtransferꢀ

(

T_Jꢀ=ꢀ25°Cꢀunlessꢀotherwiseꢀspecified

)

ꢀꢀꢀ

ꢀ

min.ꢁ

typ.ꢁ max.ꢁ ꢀ

V_GSꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀI_Dꢀ=ꢀ4ꢀmaꢀ

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

_DSSꢀ

ꢀ

500ꢀꢀ

ꢀ

Vꢀ

−ꢁ Increasedꢀtemperatureꢀandꢀpowerꢀ

cyclingꢀcapabilityꢀꢀꢀ

V_DSꢀ=ꢀV_GS,ꢀI_Dꢀ=ꢀ250ꢂΑꢀ

V_GSꢀ=ꢀ±20ꢀV_DC,ꢀV_DSꢀ=ꢀ0ꢀ

ꢀ

4.6ꢀ

•ꢁ IXYSꢀadvancedꢀZꢁMOSꢀprocessꢀ

•ꢁ Lowꢀgateꢀchargeꢀandꢀcapacitancesꢀ

−ꢁ easierꢀtoꢀdriveꢀ

ꢀ

±100ꢀꢀ

nAꢀ

V_DSꢀ=ꢀ0.8V_DSSꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀT_Jꢀ=ꢀ25Cꢀ

V_GS=0ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀT_Jꢀ

=125Cꢀ

50ꢀ

1ꢀ

ꢂAꢀ

mAꢀ

−ꢁ fasterꢀswitchingꢀ

•ꢁ LowꢀR_DS(on)

ꢀ

•ꢁ Veryꢀlowꢀinsertionꢀinductanceꢀ(<2nH)ꢀ

V_GSꢀ=ꢀ20ꢀV,ꢀI_Dꢀ=ꢀ0.5I_D25

Pulseꢀtest,ꢀtꢀ≤ꢀ300ꢂS,ꢀdutyꢀcycleꢀdꢀ≤ꢀ2%ꢀꢀ

ꢀ

R_DS(on)

g_fsꢀ

ꢀ

0.37ꢀ

6.7ꢀ

ꢀ

ꢀꢀ

•ꢁ Noꢀberylliumꢀoxideꢀ(BeO)ꢀorꢀotherꢀ

hazardousꢀmaterialsꢀꢀ

V_DSꢀ=ꢀ50ꢀV,ꢀI_Dꢀ=ꢀ0.5I_D25,ꢀpulseꢀ

testꢀ

ꢀ

Sꢀ

ꢀ

Advantagesꢁ

ꢀ

T_Jꢀ

ꢁ55ꢀ

ꢀ

175ꢀꢀ

ꢀ

+175ꢀꢀ

°Cꢀꢀꢀ

•ꢁ OptimizedꢀforꢀRFꢀandꢀhighꢀspeedꢀ

•ꢁ Easyꢀtoꢀmount—noꢀinsulatorsꢀneededꢀ

•ꢁ Highꢀpowerꢀdensityꢀ

T_JMꢀ

ꢀ

ꢁ55ꢀ

ꢀ

+ꢀ175ꢀ

ꢀ

°Cꢀꢀꢀꢀ

°Cꢀꢀꢀꢀꢀ

°Cꢀꢀꢀꢀꢀꢀ

T_stg

ꢀ

1.6mm(0.063ꢀin)ꢀfromꢀcaseꢀforꢀ10ꢀ

sꢀ

T_Lꢀ

300ꢀꢀ

ꢀ

Weightꢀ

ꢀ

3.5ꢀꢀ

ꢀ

gꢀ

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IYD0551	ETC	获取价格	Optoelectronic
IYD2151	IDEA	获取价格	T-1, 3 mm diameter package
IYD2351/HV5	ETC	获取价格	Optoelectronic
IYD2351/T2	ETC	获取价格	Optoelectronic
IYD2391	ETC	获取价格	Optoelectronic
IYD2651	ETC	获取价格	Optoelectronic
IYD2651/HV5	ETC	获取价格	Optoelectronic
IYD4251	IDEA	获取价格	T-1 3/4, 5 mm Round
IYD4251/HV12	ETC	获取价格	Optoelectronic
IYD5251	ETC	获取价格	Optoelectronic

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