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IXZR08N120B

更新时间: 2024-11-05 07:02:55
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IXYS /
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4页 165K
描述
Z-MOS RF Power MOSFET

IXZR08N120B 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:ISOPLUS 247, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.82外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:1200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):8 A最大漏极电流 (ID):8 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSIP-T3
JESD-609代码:e1元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):250 W认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:TIN SILVER COPPER端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IXZR08N120B 数据手册

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