是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | ISOPLUS 247, 3 PIN |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.82 | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 1200 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 8 A | 最大漏极电流 (ID): | 8 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码: | e1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 250 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | TIN SILVER COPPER | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXZR16N60 | IXYS |
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Z-MOS RF Power MOSFET |
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IXZR16N60A | IXYS |
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Z-MOS RF Power MOSFET |
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IXZR16N60B | IXYS |
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Z-MOS RF Power MOSFET |
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IXZR18N50 | IXYS |
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Z-MOS RF Power MOSFET |
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IXZR18N50A | IXYS |
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Z-MOS RF Power MOSFET |
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IXZR18N50B | IXYS |
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Z-MOS RF Power MOSFET |
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IYD0551 | ETC |
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Optoelectronic |
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IYD2151 | IDEA |
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T-1, 3 mm diameter package |
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IYD2351/HV5 | ETC |
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Optoelectronic |
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IYD2351/T2 | ETC |
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Optoelectronic |
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