IXZR18N50A

更新时间： 2024-11-05 07:02:55

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
4页	165K
描述
Z-MOS RF Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXZR18N50A 数据手册

IXZR18N50 & IXZR18N50A/B

ZꢀMOSꢁRFꢁPowerꢁMOSFETꢁ

NꢁChannelꢀEnhancementꢀModeꢀSwitchꢀModeꢀRFꢀMOSFETꢀ

LowꢀCapacitanceꢀZꢁMOS_TMꢀMOSFETꢀProcessꢀ

OptimizedꢀforꢀRFꢀOperationꢀ

V_DSS

ꢀ

=ꢁ 500ꢁVꢁ

IdealꢀforꢀClassꢀC,ꢀD,ꢀ&ꢀEꢀApplicationsꢀ

I_D25ꢀ

=ꢁ

19ꢁAꢁ

R_DS(on)ꢀ≤ꢁ

P_DCꢀ

0.37ꢁꢀꢁ

Symbolꢁ

V_DSS

_DGRꢀ

V_GS

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

TestꢁConditionsꢁ

T_Jꢀ=ꢀ25°Cꢀtoꢀ150°Cꢀꢀ

T_Jꢀ=ꢀ25°Cꢀtoꢀ150°C;ꢀR_GSꢀ=ꢀ1ꢀMꢀꢀꢀ

Continuousꢀ

MaximumꢁRatingsꢁꢁ

=ꢁ 350ꢁWꢁ

ꢀ

500ꢀꢀ

Vꢀ

ꢀ

±20ꢀꢀ

±30ꢀꢀ

19ꢀꢀ

Vꢀ

Aꢀ

Transientꢀ

ꢀ

T_cꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ

ꢀ

T_cꢀ=ꢀ25°C,ꢀpulseꢀwidthꢀlimitedꢀbyꢀT_JMꢀꢀ

T_cꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ

ꢀ

95ꢀꢀ

ꢀ

19ꢀꢀ

T_cꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ

E_AR

ꢁ

ꢀ

TBDꢀꢀ mJꢀ

5ꢀꢀꢀ V/nsꢀ

I_Sꢀ≤ꢁI_DM,ꢀdi/dtꢀ≤ꢁ100A/ꢂs,ꢀV_DDꢀ≤ꢀV_DSS,ꢀꢀ

T_jꢀ≤ꢀ150°C,ꢀR_Gꢀ=ꢀ0.2ꢀꢀꢀ

dv/dtꢁꢁ

I_Sꢀ=ꢀ0ꢀ

>200ꢀꢀ V/nsꢀ

ꢀ

P_DC

P_DHS

P_DAMB

ꢀ

350ꢀꢀ

TBDꢀꢀ

3.0ꢀ

Wꢀ

T_cꢀ=ꢀ25°C,ꢀDerateꢀ4.4W/°Cꢀaboveꢀ25°Cꢀ

ꢀ

T_cꢀ=ꢀ25°Cꢀ

ꢀ

R_thJC

ꢀ

TBDꢀ C/Wꢀ

R_thJHS

ꢀ

Featuresꢁ

•ꢁ IsolatedꢀSubstrateꢀ

Symbolꢁ TestꢁConditions

CharacteristicꢁValues

−ꢁ highꢀisolationꢀvoltageꢀ(>2500V)ꢀ

−ꢁ excellentꢀthermalꢀtransferꢀ

(

T_Jꢀ=ꢀ25°Cꢀunlessꢀotherwiseꢀspecified

)

ꢀꢀꢀ

ꢀ

min.ꢁ

typ.ꢁ max.ꢁ ꢀ

V_GSꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀI_Dꢀ=ꢀ4ꢀmaꢀ

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

_DSSꢀ

ꢀ

500ꢀꢀ

ꢀ

Vꢀ

−ꢁ Increasedꢀtemperatureꢀandꢀpowerꢀ

cyclingꢀcapabilityꢀꢀꢀ

V_DSꢀ=ꢀV_GS,ꢀI_Dꢀ=ꢀ250ꢂΑꢀ

V_GSꢀ=ꢀ±20ꢀV_DC,ꢀV_DSꢀ=ꢀ0ꢀ

ꢀ

4.6ꢀ

•ꢁ IXYSꢀadvancedꢀZꢁMOSꢀprocessꢀ

•ꢁ Lowꢀgateꢀchargeꢀandꢀcapacitancesꢀ

−ꢁ easierꢀtoꢀdriveꢀ

ꢀ

±100ꢀꢀ

nAꢀ

V_DSꢀ=ꢀ0.8V_DSSꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀT_Jꢀ=ꢀ25Cꢀ

V_GS=0ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀT_Jꢀ

=125Cꢀ

50ꢀ

1ꢀ

ꢂAꢀ

mAꢀ

−ꢁ fasterꢀswitchingꢀ

•ꢁ LowꢀR_DS(on)

ꢀ

•ꢁ Veryꢀlowꢀinsertionꢀinductanceꢀ(<2nH)ꢀ

V_GSꢀ=ꢀ20ꢀV,ꢀI_Dꢀ=ꢀ0.5I_D25

Pulseꢀtest,ꢀtꢀ≤ꢀ300ꢂS,ꢀdutyꢀcycleꢀdꢀ≤ꢀ2%ꢀꢀ

ꢀ

R_DS(on)

g_fsꢀ

ꢀ

0.37ꢀ

6.7ꢀ

ꢀ

ꢀꢀ

•ꢁ Noꢀberylliumꢀoxideꢀ(BeO)ꢀorꢀotherꢀ

hazardousꢀmaterialsꢀꢀ

V_DSꢀ=ꢀ50ꢀV,ꢀI_Dꢀ=ꢀ0.5I_D25,ꢀpulseꢀ

testꢀ

ꢀ

Sꢀ

ꢀ

Advantagesꢁ

ꢀ

T_Jꢀ

ꢁ55ꢀ

ꢀ

175ꢀꢀ

ꢀ

+175ꢀꢀ

°Cꢀꢀꢀ

•ꢁ OptimizedꢀforꢀRFꢀandꢀhighꢀspeedꢀ

•ꢁ Easyꢀtoꢀmount—noꢀinsulatorsꢀneededꢀ

•ꢁ Highꢀpowerꢀdensityꢀ

T_JMꢀ

ꢀ

ꢁ55ꢀ

ꢀ

+ꢀ175ꢀ

ꢀ

°Cꢀꢀꢀꢀ

°Cꢀꢀꢀꢀꢀ

°Cꢀꢀꢀꢀꢀꢀ

T_stg

ꢀ

1.6mm(0.063ꢀin)ꢀfromꢀcaseꢀforꢀ10ꢀ

sꢀ

T_Lꢀ

300ꢀꢀ

ꢀ

Weightꢀ

ꢀ

3.5ꢀꢀ

ꢀ

gꢀ

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与IXZR18N50A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXZR18N50B	IXYS	获取价格	Z-MOS RF Power MOSFET
IYD0551	ETC	获取价格	Optoelectronic
IYD2151	IDEA	获取价格	T-1, 3 mm diameter package
IYD2351/HV5	ETC	获取价格	Optoelectronic
IYD2351/T2	ETC	获取价格	Optoelectronic
IYD2391	ETC	获取价格	Optoelectronic
IYD2651	ETC	获取价格	Optoelectronic
IYD2651/HV5	ETC	获取价格	Optoelectronic
IYD4251	IDEA	获取价格	T-1 3/4, 5 mm Round
IYD4251/HV12	ETC	获取价格	Optoelectronic

与IXZR18N50A相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXZR18N50A

IXZR18N50A 数据手册

与IXZR18N50A相关器件

与IXZR18N50A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXZR18N50A

IXZR18N50A 数据手册

与IXZR18N50A相关器件

与IXZR18N50A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？