IXZR16N60A

更新时间： 2024-11-05 07:02:55

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IXYS		晶体射频场效应晶体管开关
页数	文件大小	规格书
4页	168K
描述
Z-MOS RF Power MOSFET

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IXZR16N60A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.66	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	18 A
最大漏极电流 (ID)：	18 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	350 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXZR16N60A 数据手册

IXZR16N60 & IXZR16N60A/B

ZꢀMOSꢁRFꢁPowerꢁMOSFETꢁ

NChannelꢀEnhancementꢀModeꢀꢀ

NꢁChannelꢀEnhancementꢀModeꢀSwitchꢀModeꢀRFꢀMOSFETꢀ

LowꢀQ_gꢀandꢀR_g

ꢀ

LowꢀCapacitanceꢀZꢁMOS_TMꢀMOSFETꢀProcessꢀ

V_DSS

ꢀ

=ꢁ 600ꢁVꢁ

Highꢀdv/dtꢀ

OptimizedꢀforꢀRFꢀOperationꢀ

NanosecondꢀSwitchingꢀ

IdealꢀforꢀClassꢀC,ꢀD,ꢀ&ꢀEꢀApplicationsꢀ

I_D25ꢀ

=ꢁ

18ꢁAꢁ

0.56ꢁꢀꢁ

350ꢁ

Symbolꢁ

V_DSS

V_DGR

V_GS

V_GSM

I_D25

I_DM

_ARꢀ

TestꢁConditionsꢁ

T_Jꢀ=ꢀ25°Cꢀtoꢀ150°Cꢀꢀ

T_Jꢀ=ꢀ25°Cꢀtoꢀ150°C;ꢀR_GSꢀ=ꢀ1ꢀMꢀꢀꢀ

Continuousꢀ

MaximumꢁRatingsꢁꢁ

R_DS(on)ꢀ≤ꢁ

P_DCꢀ=ꢁ

ꢀ

600ꢀꢀ

Vꢀ

ꢀ

±20ꢀꢀ

±30ꢀꢀ

18ꢀꢀ

Vꢀ

Aꢀ

Transientꢀ

ꢀ

T_cꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ

ꢀ

T_cꢀ=ꢀ25°C,ꢀpulseꢀwidthꢀlimitedꢀbyꢀT_JMꢀꢀ

T_cꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ

ꢀ

90ꢀꢀ

18ꢀꢀ

T_cꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ

E_AR

ꢁ

ꢀ

TBDꢀꢀ

5ꢀꢀꢀ

mJꢀ

I_Sꢀ≤ꢁI_DM,ꢀdi/dtꢀ≤ꢁ100A/ꢂs,ꢀV_DDꢀ≤ꢀV_DSS,ꢀꢀ

T_jꢀ≤ꢀ150°C,ꢀR_Gꢀ=ꢀ0.2ꢀꢀꢀ

V/nsꢀ

dv/dtꢁꢁ

I_Sꢀ=ꢀ0ꢀ

>200ꢀꢀ

V/nsꢀ

ꢀ

P_DC

P_DHS

_DAMBꢀ

R_thJC

R_thJHS

ꢀ

350ꢀꢀ

TBDꢀ

3.0ꢀ

Wꢀ

T_cꢀ=ꢀ25°C,ꢀDerateꢀ4.4W/°Cꢀaboveꢀ25°Cꢀ

ꢀ

T_cꢀ=ꢀ25°Cꢀ

Wꢀ

ꢀ

TBDꢀ

TBDꢀꢀ

C/Wꢀ

ꢀ

Featuresꢁ

•ꢁ IsolatedꢀSubstrateꢀ

Symbolꢁ

TestꢁConditions

CharacteristicꢁValuesꢀ

(

T_Jꢀ=ꢀ25°Cꢀunlessꢀotherwiseꢀspecified)ꢀꢀ

−ꢁ highꢀisolationꢀvoltageꢀ(>2500V)ꢀ

−ꢁ excellentꢀthermalꢀtransferꢀ

ꢀ

min.ꢁ

600ꢀꢀ

typ.ꢁ

max.ꢁ ꢀ

−ꢁ Increasedꢀtemperatureꢀandꢀpowerꢀ

V_GSꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀI_Dꢀ=ꢀ4ꢀmaꢀ

V_DSS

V_GS(th)

_GSSꢀ

I_DSS

ꢀ

Vꢀ

cyclingꢀcapabilityꢀꢀꢀ

V_DSꢀ=ꢀV_GS,ꢀI_Dꢀ=ꢀ250ꢂΑꢀ

ꢀ

4.6ꢀꢀ

•ꢁ IXYSꢀadvancedꢀZꢁMOSꢀprocessꢀ

•ꢁ Lowꢀgateꢀchargeꢀandꢀcapacitancesꢀ

−ꢁ easierꢀtoꢀdriveꢀ

V_GSꢀ=ꢀ±20ꢀV_DC,ꢀV_DSꢀ=ꢀ0ꢀ

ꢀ

±100ꢀꢀ

nAꢀ

V_DSꢀ=ꢀ0.8V_DSSꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀT_Jꢀ=ꢀ25Cꢀ

V_GS=0ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀT_Jꢀ=125Cꢀ

ꢀ

50ꢀ

1ꢀ

ꢂAꢀ

mAꢀ

−ꢁ fasterꢀswitchingꢀ

•ꢁ LowꢀR_DS(on)

ꢀ

•ꢁ Veryꢀlowꢀinsertionꢀinductanceꢀ(<2nH)ꢀ

V_GSꢀ=ꢀ20ꢀV,ꢀI_Dꢀ=ꢀ0.5I_D25

Pulseꢀtest,ꢀtꢀ≤ꢀ300ꢂS,ꢀdutyꢀcycleꢀdꢀ≤ꢀ2%ꢀꢀ

ꢀ

R_DS(on)

ꢀ

0.53ꢀ

ꢀ

ꢀꢀ

•ꢁ Noꢀberylliumꢀoxideꢀ(BeO)ꢀorꢀotherꢀ

hazardousꢀmaterialsꢀꢀ

V_DSꢀ=ꢀ50V,ꢀI_Dꢀ=ꢀ0.5I_D25,ꢀpulseꢀtestꢀ

ꢀ

g_fsꢀ

T_Jꢀ

ꢀ

6.4ꢀ

ꢀ

Sꢀ

Advantagesꢁ

ꢀ

ꢁ55ꢀ

+175ꢀꢀ

°Cꢀꢀꢀ

°Cꢀꢀꢀꢀ

°Cꢀꢀꢀꢀꢀ

°Cꢀꢀꢀꢀꢀꢀ

gꢀ

•ꢁ HighꢀPerformanceꢀRFꢀZꢁMOS^TMꢀꢀ

•ꢁ OptimizedꢀforꢀRFꢀandꢀhighꢀspeedꢀ

•ꢁ CommonꢀSourceꢀRFꢀPackageꢀ

ꢀ

T_JMꢀ

ꢀ

175ꢀꢀ

ꢀ

T_stg

ꢀ

ꢁ55ꢀ

+ꢀ175ꢀ

ꢀ

Aꢀ=ꢀGateꢀSourceꢀDrainꢀ

Bꢀ=ꢀDrainꢀSourceꢀGateꢀ

1.6mm(0.063ꢀin)ꢀfromꢀcaseꢀforꢀ10ꢀsꢀ

ꢀ

T_Lꢀ

ꢀ

300ꢀꢀ

3.5ꢀꢀ

ꢀ

•ꢁ IsolatedꢀPackage,ꢀnoꢀinsulatorꢀꢀꢀꢀꢀꢀ

requiredꢀ

ꢀ

Weightꢀ

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXZR16N60B	IXYS	获取价格	Z-MOS RF Power MOSFET
IXZR18N50	IXYS	获取价格	Z-MOS RF Power MOSFET
IXZR18N50A	IXYS	获取价格	Z-MOS RF Power MOSFET
IXZR18N50B	IXYS	获取价格	Z-MOS RF Power MOSFET
IYD0551	ETC	获取价格	Optoelectronic
IYD2151	IDEA	获取价格	T-1, 3 mm diameter package
IYD2351/HV5	ETC	获取价格	Optoelectronic
IYD2351/T2	ETC	获取价格	Optoelectronic
IYD2391	ETC	获取价格	Optoelectronic
IYD2651	ETC	获取价格	Optoelectronic

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