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IXZR16N60B

更新时间: 2024-11-18 07:02:55
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IXYS /
页数 文件大小 规格书
4页 168K
描述
Z-MOS RF Power MOSFET

IXZR16N60B 数据手册

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IXZR16N60 & IXZR16N60A/B  
ZꢀMOSꢁRFꢁPowerꢁMOSFETꢁ  
NꢁChannelꢀEnhancementꢀModeꢀSwitchꢀModeꢀRFꢀMOSFETꢀ  
LowꢀCapacitanceꢀZꢁMOSTMꢀMOSFETꢀProcessꢀ  
VDSS  
=ꢁ 600ꢁVꢁ  
OptimizedꢀforꢀRFꢀOperationꢀ  
IdealꢀforꢀClassꢀC,ꢀD,ꢀ&ꢀEꢀApplicationsꢀ  
ID25ꢀ  
=ꢁ  
18ꢁAꢁ  
0.56ꢁꢁ  
350ꢁ  
Symbolꢁ  
VDSS  
VDGR  
VGS  
VGSM  
ID25  
IDM  
ARꢀ  
TestꢁConditionsꢁ  
TJꢀ=ꢀ25°Cꢀtoꢀ150°Cꢀꢀ  
TJꢀ=ꢀ25°Cꢀtoꢀ150°C;ꢀRGSꢀ=ꢀ1ꢀMꢀꢀ  
Continuousꢀ  
MaximumꢁRatingsꢁꢁ  
RDS(on)ꢀ ≤ꢁ  
PDCꢀ =ꢁ  
600ꢀꢀ  
600ꢀꢀ  
Vꢀ  
V
±20ꢀꢀ  
±30ꢀꢀ  
18ꢀꢀ  
Vꢀ  
Vꢀ  
Aꢀ  
Aꢀ  
Aꢀ  
Transientꢀ  
Tcꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ  
Tcꢀ=ꢀ25°C,ꢀpulseꢀwidthꢀlimitedꢀbyꢀTJMꢀꢀ  
Tcꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ  
90ꢀꢀ  
I
18ꢀꢀ  
Tcꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ  
EAR  
TBDꢀꢀ  
5ꢀꢀꢀ  
mJꢀ  
IS≤ꢁIDM,ꢀdi/dtꢀ≤ꢁ100A/s,ꢀVDDꢀVDSS,ꢀꢀ  
Tjꢀ150°C,ꢀRGꢀ=ꢀ0.2ꢀꢀ  
V/nsꢀ  
dv/dtꢁꢁ  
ISꢀ=ꢀ0ꢀ  
>200ꢀꢀ  
V/nsꢀ  
PDC  
PDHS  
DAMBꢀ  
RthJC  
RthJHS  
350ꢀꢀ  
TBDꢀ  
3.0ꢀ  
Wꢀ  
Wꢀ  
Tcꢀ=ꢀ25°C,ꢀDerateꢀ4.4W/°Cꢀaboveꢀ25°Cꢀ  
Tcꢀ=ꢀ25°Cꢀ  
P
Wꢀ  
TBDꢀ  
TBDꢀꢀ  
C/Wꢀ  
C/Wꢀ  
Featuresꢁ  
•ꢁ IsolatedꢀSubstrateꢀ  
Symbolꢁ  
TestꢁConditions  
CharacteristicꢁValuesꢀ  
(
TJꢀ=ꢀ25°Cꢀunlessꢀotherwiseꢀspecified)ꢀꢀ  
−ꢁ highꢀisolationꢀvoltageꢀ(>2500V)ꢀ  
−ꢁ excellentꢀthermalꢀtransferꢀ  
min.ꢁ  
600ꢀꢀ  
typ.ꢁ  
max.ꢁ ꢀ  
−ꢁ Increasedꢀtemperatureꢀandꢀpowerꢀ  
VGSꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀIDꢀ=ꢀ4ꢀmaꢀ  
VDSS  
VGS(th)  
GSSꢀ  
IDSS  
Vꢀ  
Vꢀ  
cyclingꢀcapabilityꢀꢀꢀ  
VDSꢀ=ꢀVGS,ꢀIDꢀ=ꢀ250ꢂΑꢀ  
4.6ꢀꢀ  
•ꢁ IXYSꢀadvancedꢀZꢁMOSꢀprocessꢀ  
•ꢁ Lowꢀgateꢀchargeꢀandꢀcapacitancesꢀ  
−ꢁ easierꢀtoꢀdriveꢀ  
VGSꢀ=ꢀ±20ꢀVDC,ꢀVDSꢀ=ꢀ0ꢀ  
I
±100ꢀꢀ  
nAꢀ  
VDSꢀ=ꢀ0.8VDSSꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀTJꢀ=ꢀ25Cꢀ  
VGS=0ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀTJꢀ=125Cꢀ  
50ꢀ  
1ꢀ  
Aꢀ  
mAꢀ  
−ꢁ fasterꢀswitchingꢀ  
•ꢁ LowꢀRDS(on)  
•ꢁ Veryꢀlowꢀinsertionꢀinductanceꢀ(<2nH)ꢀ  
VGSꢀ=ꢀ20ꢀV,ꢀIDꢀ=ꢀ0.5ID25  
Pulseꢀtest,ꢀtꢀꢀ300S,ꢀdutyꢀcycleꢀdꢀꢀ2%ꢀꢀ  
RDS(on)  
0.53ꢀ  
ꢀ  
•ꢁ Noꢀberylliumꢀoxideꢀ(BeO)ꢀorꢀotherꢀ  
hazardousꢀmaterialsꢀꢀ  
VDSꢀ=ꢀ50V,ꢀIDꢀ=ꢀ0.5ID25,ꢀpulseꢀtestꢀ  
gfsꢀ  
TJꢀ  
6.4ꢀ  
Sꢀ  
Advantagesꢁ  
ꢁ55ꢀ  
+175ꢀꢀ  
°Cꢀꢀꢀ  
°Cꢀꢀꢀꢀ  
°Cꢀꢀꢀꢀꢀ  
°Cꢀꢀꢀꢀꢀꢀ  
gꢀ  
•ꢁ HighꢀPerformanceꢀRFꢀZꢁMOSTMꢀꢀ  
•ꢁ OptimizedꢀforꢀRFꢀandꢀhighꢀspeedꢀ  
•ꢁ CommonꢀSourceꢀRFꢀPackageꢀ  
TJMꢀ  
175ꢀꢀ  
Tstg  
ꢁ55ꢀ  
+ꢀ175ꢀ  
Aꢀ=ꢀGateꢀSourceꢀDrainꢀ  
Bꢀ=ꢀDrainꢀSourceꢀGateꢀ  
1.6mm(0.063ꢀin)ꢀfromꢀcaseꢀforꢀ10ꢀsꢀ  
TLꢀ  
300ꢀꢀ  
3.5ꢀꢀ  
•ꢁ IsolatedꢀPackage,ꢀnoꢀinsulatorꢀꢀꢀꢀꢀꢀ  
requiredꢀ  
Weightꢀ  

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