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IXYX25N250CV1HV

更新时间： 2024-10-03 01:23:31

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IXYS		双极性晶体管
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8页	252K
描述
High Voltage XPT IGBT w/ Diode

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IXYX25N250CV1HV 数据手册

Preliminary Technical Information

V_CES= 2500V

I_C110= 25A

V_CE(sat) 4.0V

t_fi(typ)= 246ns

High Voltage

XPT^TMIGBT

w/ Diode

IXYX25N250CV1

IXYX25N250CV1HV

PLUS247 (IXYX)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

2500

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

Tab

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

TO-247PLUS-HV

(IXYX...HV)

I_C25

I_C110

I_F110

T_C= 25°C

T_C= 110°C

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

235

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 5

Clamped Inductive Load

I_CM= 100

1500

Tab

P_C

T_C= 25°C

937

G = Gate

C = Collector

= Emitter

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C

Tab = Collector

-55 ... +175

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

F_C

Mounting Force

20..120 /4.5..27

N/lb

Features

Weight



High Voltage Packages

High Blocking Voltage



High Peak Current Capability

Low Saturation Voltage

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Advantages

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

2500

3.0

Typ.

Max.



BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

Low Gate Drive Requirement

High Power Density



5.0

25 μA

μA

Applications

T_J= 100°C

T_J= 150°C

100



I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100 nA

Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

Uninterruptible Power Supplies (UPS)

Laser Generators

Capacitor Discharge Circuits

V_CE(sat)

I_C= 25A, V_GE= 15V, Note 1

3.4

4.7

4.0



AC Switches

DS100735B(4/17)

12 3 4 5 6 7 8

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