IXZ316N60

更新时间： 2024-02-02 08:49:38

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IXYS		晶体射频场效应晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	141K
描述
Z-MOS RF Power MOSFET

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IXZ316N60 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	2.28
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (ID)：	18 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F6
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXZ316N60 数据手册

IXZ316N60

ZꢀMOSꢁRFꢁPowerꢁMOSFETꢁ

NꢁChannelꢀEnhancementꢀModeꢀSwitchꢀModeꢀRFꢀMOSFETꢀ

LowꢀCapacitanceꢀZꢁMOS_TMꢀMOSFETꢀProcessꢀ

OptimizedꢀforꢀRFꢀOperationꢀ

V_DSS

ꢀ

=ꢁ 600ꢁVꢁ

IdealꢀforꢀClassꢀC,ꢀD,ꢀ&ꢀEꢀApplicationsꢀ

I_D25ꢀ

=ꢁ

18ꢁAꢁ

R_DS(on)ꢀ≤ꢁ

0.47ꢁꢀꢁ

Symbolꢁ

V_DSS

V_DGR

V_GS

V_GSM

I_D25

I_DM

_ARꢀ

TestꢁConditionsꢁ

T_Jꢀ=ꢀ25°Cꢀtoꢀ150°Cꢀꢀ

T_Jꢀ=ꢀ25°Cꢀtoꢀ150°C;ꢀR_GSꢀ=ꢀ1ꢀMꢀꢀꢀ

Continuousꢀ

MaximumꢁRatingsꢁꢁ

ꢀ

600ꢀꢀ

Vꢀ

P_DCꢀ

=ꢁ 880ꢁWꢁ

ꢀ

±20ꢀꢀ

±30ꢀꢀ

18ꢀꢀ

Vꢀ

Aꢀ

Transientꢀ

ꢀ

T_cꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ

ꢀ

T_cꢀ=ꢀ25°C,ꢀpulseꢀwidthꢀlimitedꢀbyꢀT_JMꢀꢀ

T_cꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ

ꢀ

90ꢀꢀ

18ꢀꢀ

T_cꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ

E_AR

ꢁ

ꢀ

TBDꢀꢀ mJꢀ

5ꢀꢀꢀ V/nsꢀ

I_Sꢀ≤ꢁI_DM,ꢀdi/dtꢀ≤ꢁꢁ100A/ꢂs,ꢀV_DDꢀ≤ꢀV_DSS,ꢀꢀ

T_jꢀ≤ꢀ150°C,ꢀR_Gꢀ=ꢀ0.2ꢀꢀꢀ

dv/dtꢁꢁ

I_Sꢀ=ꢀ0ꢀ

>200ꢀꢀ V/nsꢀ

DRAIN

ꢀ

_DCꢀ

P_DHS

_DAMBꢀ

R_thJC

R_thJHS

880ꢀꢀ

440ꢀꢀ

3.0ꢀ

Wꢀ

GATE

T_cꢀ=ꢀ25°C,ꢀDerateꢀ4.4W/°Cꢀaboveꢀ25°Cꢀ

ꢀ

T_cꢀ=ꢀ25°Cꢀ

ꢀ

0.17ꢀ C/Wꢀ

0.34ꢀꢀ C/Wꢀ

SG1 SG2

SD1

SD2

ꢀ

Featuresꢁ

Symbolꢁ

TestꢁConditions

CharacteristicꢁValuesꢀ

•ꢁ IsolatedꢀSubstrateꢀ

(

T_Jꢀ=ꢀ25°Cꢀunlessꢀotherwiseꢀspecified)ꢀꢀ

−ꢁ highꢀisolationꢀvoltageꢀ(>2500V)ꢀ

−ꢁ excellentꢀthermalꢀtransferꢀ

ꢀ

min.ꢁ

600ꢀꢀ

typ.ꢁ

max.ꢁ ꢀ

ꢀ

V_GSꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀI_Dꢀ=ꢀ4ꢀmaꢀ

−ꢁ Increasedꢀtemperatureꢀandꢀpowerꢀ

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

I_DSS

ꢀ

Vꢀ

cyclingꢀcapabilityꢀꢀꢀ

V_DSꢀ=ꢀV_GS,ꢀI_Dꢀ=ꢀ250ꢂΑꢀ

ꢀ

3.2ꢀ

4.0ꢀ

5.5ꢀ

•ꢁ IXYSꢀadvancedꢀZꢁMOSꢀprocessꢀ

•ꢁ Lowꢀgateꢀchargeꢀandꢀcapacitancesꢀ

−ꢁ easierꢀtoꢀdriveꢀ

V_GSꢀ=ꢀ±20ꢀV_DC,ꢀV_DSꢀ=ꢀ0ꢀ

ꢀ

±100ꢀꢀ

nAꢀ

V_DSꢀ=ꢀ0.8V_DSSꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀT_Jꢀ=ꢀ25Cꢀ

V_GS=0ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀT_Jꢀ=125Cꢀ

ꢀ

50ꢀ

1ꢀ

ꢂAꢀ

mAꢀ

−ꢁ fasterꢀswitchingꢀ

•ꢁ LowꢀR_DS(on)

ꢀ

•ꢁ Veryꢀlowꢀinsertionꢀinductanceꢀ(<2nH)ꢀ

V_GSꢀ=ꢀ15ꢀV,ꢀI_Dꢀ=ꢀ0.5I_D25

Pulseꢀtest,ꢀtꢀ≤ꢀ300ꢂS,ꢀdutyꢀcycleꢀdꢀ≤ꢀ2%ꢀꢀ

ꢀ

_DS(on)ꢀ

0.44ꢀ

0.47ꢀ

ꢀꢀ

•ꢁ Noꢀberylliumꢀoxideꢀ(BeO)ꢀorꢀotherꢀ

hazardousꢀmaterialsꢀꢀ

V_DSꢀ=ꢀ50V,ꢀI_Dꢀ=ꢀ0.5I_D25,ꢀpulseꢀtestꢀ

g_fsꢀ

T_Jꢀ

4.0ꢀ

5.2ꢀ

ꢀ

Sꢀ

ꢀ

Advantagesꢁ

ꢀ

ꢁ55ꢀ

+175ꢀꢀ

°Cꢀꢀꢀ

°Cꢀꢀꢀꢀ

°Cꢀꢀꢀꢀꢀ

°Cꢀꢀꢀꢀꢀꢀ

gꢀ

•ꢁ OptimizedꢀforꢀRFꢀandꢀhighꢀspeedꢀ

•ꢁ Easyꢀtoꢀmount—noꢀinsulatorsꢀneededꢀ

•ꢁ Highꢀpowerꢀdensityꢀ

ꢀ

T_JMꢀ

ꢀ

175ꢀꢀ

ꢀ

T_stg

ꢀ

ꢁ55ꢀ

+ꢀ175ꢀ

1.6mm(0.063ꢀin)ꢀfromꢀcaseꢀforꢀ10ꢀsꢀ

ꢀ

T_Lꢀ

ꢀ

300ꢀꢀ

3.5ꢀꢀ

ꢀ

Weightꢀ

12 3 4

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