Datasheet > IXYX40N450HV

IXYX40N450HV

更新时间： 2024-11-06 14:56:23

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		双极性晶体管高压
页数	文件大小	规格书
5页	219K
描述
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、低能量损耗和快速切换等特点。凭借通态电压的正温度系数，这些高压IGBT可用于并联，相比串联低电压器件更加

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXYX40N450HV 数据手册

Preliminary Technical Information

High Voltage XPT^TM

IGBT

V_CES= 4500V

I_C110= 40A

V_CE(sat) 3.9V

IXYX40N450HV

TO-247PLUS-HV

Symbol

V_CES

Test Conditions

Maximum Ratings

T_C= 25°C to 150°C

4500

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1M

Tab

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

G = Gate

C = Collector

= Emitter

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

Tab = Collector

350

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 10

Clamped Inductive Load

I_CM= 120

3600

Features

P_C

T_C= 25°C

660

T_J

-55 ... +150

150

°C



High Voltage Package

High Blocking Voltage

T_JM

T_stg



-55 ... +150



High Peak Current Capability

Low Saturation Voltage

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

F_C

Mounting Force

20..120/4.5..27

N/lb

Advantages

Weight



Low Gate Drive Requirement



High Power Density

Applications

Symbol Test Conditions

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Characteristic Values



Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

Uninterruptible Power Supplies (UPS)

Laser Generators

Capacitor Discharge Circuits

AC Switches

Min.

4500

3.0

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V



5.0



25 μA

1.25 mA

±200 nA



T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

V_CE(sat)

I_C= 40A, V_GE= 15V, Note 1

3.2

4.0

3.9

DS100616A(8/16)

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与IXYX40N450HV相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXYX50N170C	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYY8N90C3	IXYS	获取价格	900V XPTTM IGBT
IXYY8N90C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXZ12210N50L	IXYS	获取价格	RF Power MOSFET
IXZ210N50L	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Linear 175MHz RF MOSFET
IXZ210N50L_07	IXYS	获取价格	RF Power MOSFET
IXZ210N50L2	IXYS	获取价格	RF MOSFET N-CHANNEL DE275
IXZ2210N50L	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Linear 175MHz RF MOSFET
IXZ2210N50L2	IXYS	获取价格	RF MOSFET 2N-CHANNEL DE275
IXZ-2510	TDK	获取价格	陀螺仪