Datasheet > IXZ318N50

IXZ318N50

更新时间： 2024-10-02 12:49:55

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
4页	143K
描述
Z-MOS RF Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXZ318N50 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	8.6
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

IXZ318N50 数据手册

IXZ318N50

ZꢀMOSꢁRFꢁPowerꢁMOSFETꢁ

NꢁChannelꢀEnhancementꢀModeꢀSwitchꢀModeꢀRFꢀMOSFETꢀ

LowꢀCapacitanceꢀZꢁMOS_TMꢀMOSFETꢀProcessꢀ

OptimizedꢀforꢀRFꢀOperationꢀ

V_DSS

ꢀ

=ꢁ 500ꢁVꢁ

IdealꢀforꢀClassꢀC,ꢀD,ꢀ&ꢀEꢀApplicationsꢀ

I_D25ꢀ

=ꢁ

19ꢁAꢁ

R_DS(on)ꢀ≤ꢁ

0.34ꢁꢀꢁ

Symbolꢁ

V_DSS

V_DGR

V_GS

V_GSM

I_D25

I_DM

_ARꢀ

TestꢁConditionsꢁ

T_Jꢀ=ꢀ25°Cꢀtoꢀ150°Cꢀꢀ

T_Jꢀ=ꢀ25°Cꢀtoꢀ150°C;ꢀR_GSꢀ=ꢀ1ꢀMꢀꢀꢀ

Continuousꢀ

MaximumꢁRatingsꢁꢁ

ꢀ

500ꢀꢀ

Vꢀ

P_DCꢀ

=ꢁ 880ꢁWꢁ

ꢀ

±20ꢀꢀ

±30ꢀꢀ

19ꢀꢀ

Vꢀ

Aꢀ

Transientꢀ

ꢀ

T_cꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ

ꢀ

T_cꢀ=ꢀ25°C,ꢀpulseꢀwidthꢀlimitedꢀbyꢀT_JMꢀꢀ

T_cꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ

ꢀ

95ꢀꢀ

19ꢀꢀ

T_cꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ

E_AR

ꢁ

ꢀ

TBDꢀꢀ mJꢀ

5ꢀꢀꢀ V/nsꢀ

I_Sꢀ≤ꢁI_DM,ꢀdi/dtꢀ≤ꢁ100A/ꢂs,ꢀV_DDꢀ≤ꢀV_DSS,ꢀꢀ

T_jꢀ≤ꢀ150°C,ꢀR_Gꢀ=ꢀ0.2ꢀꢀꢀ

dv/dtꢁꢁ

I_Sꢀ=ꢀ0ꢀ

>200ꢀꢀ V/nsꢀ

ꢀ

_DCꢀ

P_DHS

_DAMBꢀ

R_thJC

R_thJHS

880ꢀꢀ

440ꢀꢀ

3.0ꢀ

Wꢀ

DRAIN

T_cꢀ=ꢀ25°Cꢀ

GATE

ꢀ

T_ambꢀ=ꢀ25°Cꢀ

ꢀ

0.17ꢀ C/Wꢀ

0.34ꢀꢀ C/Wꢀ

SG1

SG2

SD1

SD2

ꢀ

Featuresꢁ

Symbolꢁ

TestꢁConditions

CharacteristicꢁValuesꢀ

•ꢁ IsolatedꢀSubstrateꢀ

(

T_Jꢀ=ꢀ25°Cꢀunlessꢀotherwiseꢀspecified)ꢀꢀ

−ꢁ highꢀisolationꢀvoltageꢀ(>2500V)ꢀ

−ꢁ excellentꢀthermalꢀtransferꢀ

ꢀ

min.ꢁ

500ꢀꢀ

typ.ꢁ

max.ꢁ ꢀ

−ꢁ Increasedꢀtemperatureꢀandꢀpowerꢀ

V_GSꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀI_Dꢀ=ꢀ4ꢀmaꢀ

V_DSS

V_GS(th)

_GSSꢀ

I_DSS

ꢀ

Vꢀ

cyclingꢀcapabilityꢀꢀꢀ

V_DSꢀ=ꢀV_GS,ꢀI_Dꢀ=ꢀ250ꢂΑꢀ

ꢀ

3.5ꢀ

4.9ꢀꢀ

6.5ꢀ

•ꢁ IXYSꢀadvancedꢀZꢁMOSꢀprocessꢀ

•ꢁ Lowꢀgateꢀchargeꢀandꢀcapacitancesꢀ

−ꢁ easierꢀtoꢀdriveꢀ

V_GSꢀ=ꢀ±20ꢀV_DC,ꢀV_DSꢀ=ꢀ0ꢀ

ꢀ

±100ꢀꢀ

nAꢀ

V_DSꢀ=ꢀ0.8V_DSSꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀT_Jꢀ=ꢀ25Cꢀ

V_GS=0ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀT_Jꢀ=125Cꢀ

ꢀ

50ꢀ

1ꢀ

ꢂAꢀ

mAꢀ

−ꢁ fasterꢀswitchingꢀ

•ꢁ LowꢀR_DS(on)

ꢀ

•ꢁ Veryꢀlowꢀinsertionꢀinductanceꢀ(<2nH)ꢀ

V_GSꢀ=ꢀ20ꢀV,ꢀI_Dꢀ=ꢀ0.5I_D25

Pulseꢀtest,ꢀtꢀ≤ꢀ300ꢂS,ꢀdutyꢀcycleꢀdꢀ≤ꢀ2%ꢀꢀ

ꢀ

R_DS(on)

ꢀ

.32ꢀ

.34ꢀ

ꢀꢀ

•ꢁ Noꢀberylliumꢀoxideꢀ(BeO)ꢀorꢀotherꢀ

hazardousꢀmaterialsꢀꢀ

V_DSꢀ=ꢀ50ꢀV,ꢀI_Dꢀ=ꢀ0.5I_D25,ꢀpulseꢀtestꢀ

ꢀ

g_fsꢀ

T_Jꢀ

5.0ꢀ

5.4ꢀ

ꢀ

6.0ꢀ

Sꢀ

Advantagesꢁ

ꢀ

ꢁ55ꢀ

+175ꢀꢀ

°Cꢀꢀꢀ

°Cꢀꢀꢀꢀ

°Cꢀꢀꢀꢀꢀ

°Cꢀꢀꢀꢀꢀꢀ

gꢀ

•ꢁ OptimizedꢀforꢀRFꢀandꢀhighꢀspeedꢀ

•ꢁ Easyꢀtoꢀmount—noꢀinsulatorsꢀneededꢀ

•ꢁ Highꢀpowerꢀdensityꢀ

ꢀ

T_JMꢀ

ꢀ

175ꢀꢀ

ꢀ

T_stg

ꢀ

ꢁ55ꢀ

+ꢀ175ꢀ

1.6mm(0.063ꢀin)ꢀfromꢀcaseꢀforꢀ10ꢀsꢀ

ꢀ

T_Lꢀ

ꢀ

300ꢀꢀ

3.5ꢀꢀ

ꢀ

Weightꢀ

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与IXZ318N50相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXZ4DF12N100	IXYS	获取价格	RF Power MOSFET & DRIVER
IXZ4DF18N50	IXYS	获取价格	RF Power MOSFET & DRIVER
IXZH10N50LA	IXYS	获取价格	RF Power MOSFET
IXZH10N50LB	IXYS	获取价格	RF Power MOSFET
IXZR08N120	IXYS	获取价格	Z-MOS RF Power MOSFET
IXZR08N120A	IXYS	获取价格	Z-MOS RF Power MOSFET
IXZR08N120B	IXYS	获取价格	Z-MOS RF Power MOSFET
IXZR16N60	IXYS	获取价格	Z-MOS RF Power MOSFET
IXZR16N60A	IXYS	获取价格	Z-MOS RF Power MOSFET
IXZR16N60B	IXYS	获取价格	Z-MOS RF Power MOSFET

与IXZ318N50相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

38
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

32
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

29
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

40

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXZ318N50

IXZ318N50 技术参数

IXZ318N50 数据手册

与IXZ318N50相关器件

与IXZ318N50相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXZ318N50

IXZ318N50 技术参数

IXZ318N50 数据手册

与IXZ318N50相关器件

与IXZ318N50相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？