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IXZ318N50

更新时间: 2024-11-18 12:49:55
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IXYS /
页数 文件大小 规格书
4页 143K
描述
Z-MOS RF Power MOSFET

IXZ318N50 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:compliant风险等级:8.6
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

IXZ318N50 数据手册

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IXZ318N50  
ZꢀMOSꢁRFꢁPowerꢁMOSFETꢁ  
NꢁChannelꢀEnhancementꢀModeꢀSwitchꢀModeꢀRFꢀMOSFETꢀ  
LowꢀCapacitanceꢀZꢁMOSTMꢀMOSFETꢀProcessꢀ  
OptimizedꢀforꢀRFꢀOperationꢀ  
VDSS  
=ꢁ 500ꢁVꢁ  
IdealꢀforꢀClassꢀC,ꢀD,ꢀ&ꢀEꢀApplicationsꢀ  
ID25ꢀ  
=ꢁ  
19ꢁAꢁ  
RDS(on)ꢀ ≤ꢁ  
0.34ꢁꢁ  
Symbolꢁ  
VDSS  
VDGR  
VGS  
VGSM  
ID25  
IDM  
ARꢀ  
TestꢁConditionsꢁ  
TJꢀ=ꢀ25°Cꢀtoꢀ150°Cꢀꢀ  
TJꢀ=ꢀ25°Cꢀtoꢀ150°C;ꢀRGSꢀ=ꢀ1ꢀMꢀꢀ  
Continuousꢀ  
MaximumꢁRatingsꢁꢁ  
500ꢀꢀ  
500ꢀꢀ  
Vꢀ  
V
PDCꢀ  
=ꢁ 880ꢁWꢁ  
±20ꢀꢀ  
±30ꢀꢀ  
19ꢀꢀ  
Vꢀ  
Vꢀ  
Aꢀ  
Aꢀ  
Aꢀ  
Transientꢀ  
Tcꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ  
Tcꢀ=ꢀ25°C,ꢀpulseꢀwidthꢀlimitedꢀbyꢀTJMꢀꢀ  
Tcꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ  
95ꢀꢀ  
I
19ꢀꢀ  
Tcꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ  
EAR  
TBDꢀꢀ mJꢀ  
5ꢀꢀꢀ V/nsꢀ  
IS≤ꢁIDM,ꢀdi/dtꢀ≤ꢁ100A/s,ꢀVDDꢀVDSS,ꢀꢀ  
Tjꢀ150°C,ꢀRGꢀ=ꢀ0.2ꢀꢀ  
dv/dtꢁꢁ  
ISꢀ=ꢀ0ꢀ  
>200ꢀꢀ V/nsꢀ  
P
DCꢀ  
PDHS  
DAMBꢀ  
RthJC  
RthJHS  
880ꢀꢀ  
440ꢀꢀ  
3.0ꢀ  
Wꢀ  
Wꢀ  
Wꢀ  
DRAIN  
Tcꢀ=ꢀ25°Cꢀ  
GATE  
Tambꢀ=ꢀ25°Cꢀ  
P
0.17ꢀ C/Wꢀ  
0.34ꢀꢀ C/Wꢀ  
SG1  
SG2  
SD1  
SD2  
Featuresꢁ  
Symbolꢁ  
TestꢁConditions  
CharacteristicꢁValuesꢀ  
•ꢁ IsolatedꢀSubstrateꢀ  
(
TJꢀ=ꢀ25°Cꢀunlessꢀotherwiseꢀspecified)ꢀꢀ  
−ꢁ highꢀisolationꢀvoltageꢀ(>2500V)ꢀ  
−ꢁ excellentꢀthermalꢀtransferꢀ  
min.ꢁ  
500ꢀꢀ  
typ.ꢁ  
max.ꢁ ꢀ  
−ꢁ Increasedꢀtemperatureꢀandꢀpowerꢀ  
VGSꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀIDꢀ=ꢀ4ꢀmaꢀ  
VDSS  
VGS(th)  
GSSꢀ  
IDSS  
Vꢀ  
Vꢀ  
cyclingꢀcapabilityꢀꢀꢀ  
VDSꢀ=ꢀVGS,ꢀIDꢀ=ꢀ250ꢂΑꢀ  
3.5ꢀ  
4.9ꢀꢀ  
6.5ꢀ  
•ꢁ IXYSꢀadvancedꢀZꢁMOSꢀprocessꢀ  
•ꢁ Lowꢀgateꢀchargeꢀandꢀcapacitancesꢀ  
−ꢁ easierꢀtoꢀdriveꢀ  
VGSꢀ=ꢀ±20ꢀVDC,ꢀVDSꢀ=ꢀ0ꢀ  
I
±100ꢀꢀ  
nAꢀ  
VDSꢀ=ꢀ0.8VDSSꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀTJꢀ=ꢀ25Cꢀ  
VGS=0ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀTJꢀ=125Cꢀ  
50ꢀ  
1ꢀ  
Aꢀ  
mAꢀ  
−ꢁ fasterꢀswitchingꢀ  
•ꢁ LowꢀRDS(on)  
•ꢁ Veryꢀlowꢀinsertionꢀinductanceꢀ(<2nH)ꢀ  
VGSꢀ=ꢀ20ꢀV,ꢀIDꢀ=ꢀ0.5ID25  
Pulseꢀtest,ꢀtꢀꢀ300S,ꢀdutyꢀcycleꢀdꢀꢀ2%ꢀꢀ  
RDS(on)  
.32ꢀ  
.34ꢀ  
ꢀ  
•ꢁ Noꢀberylliumꢀoxideꢀ(BeO)ꢀorꢀotherꢀ  
hazardousꢀmaterialsꢀꢀ  
VDSꢀ=ꢀ50ꢀV,ꢀIDꢀ=ꢀ0.5ID25,ꢀpulseꢀtestꢀ  
gfsꢀ  
TJꢀ  
5.0ꢀ  
5.4ꢀ  
6.0ꢀ  
Sꢀ  
Advantagesꢁ  
ꢁ55ꢀ  
+175ꢀꢀ  
°Cꢀꢀꢀ  
°Cꢀꢀꢀꢀ  
°Cꢀꢀꢀꢀꢀ  
°Cꢀꢀꢀꢀꢀꢀ  
gꢀ  
•ꢁ OptimizedꢀforꢀRFꢀandꢀhighꢀspeedꢀ  
•ꢁ Easyꢀtoꢀmount—noꢀinsulatorsꢀneededꢀ  
•ꢁ Highꢀpowerꢀdensityꢀ  
TJMꢀ  
175ꢀꢀ  
Tstg  
ꢁ55ꢀ  
+ꢀ175ꢀ  
1.6mm(0.063ꢀin)ꢀfromꢀcaseꢀforꢀ10ꢀsꢀ  
TLꢀ  
300ꢀꢀ  
3.5ꢀꢀ  
Weightꢀ  

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