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IXYX30N170CV1

更新时间： 2024-12-01 14:56:51

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力特 - LITTELFUSE		双极性晶体管高压
页数	文件大小	规格书
8页	270K
描述
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、低能量损耗和快速切换等特点。凭借通态电压的正温度系数，这些高压IGBT可用于并联，相比串联低电压器件更加

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IXYX30N170CV1 数据手册

Preliminary Technical Information

High Voltage

XPT^TMIGBT

w/ Diode

V_CES= 1700V

I_C110= 30A

V_CE(sat) 4.0V

t_fi(typ)= 95ns

IXYK30N170CV1

IXYX30N170CV1

TO-264 (IXYK)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

1700

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

Tab

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

PLUS247 (IXYX)

I_C25

I_C110

I_F110

I_CM

T_C= 25°C

100

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

250

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 2.7

Clamped Inductive Load

I_CM= 120

1360

Tab

P_C

T_C= 25°C

937

G = Gate

S = Emitter

= Collector

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C

Tab = Collector

-55 ... +175

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Features

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in

N/lb



International Standard Packages

High Voltage Package

20..120 /4.5..27



Weight

TO-264

PLUS247



High Blocking Voltage

Low Saturation Voltage

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1700

3.0

Typ.

Max.



Low Gate Drive Requirement

High Power Density



BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= 0.8 • V_CES, V_GE= 0V

5.0

25 A

4 mA

Applications

T_J= 125C

T_J= 150C



I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

100 nA

Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

Uninterruptible Power Supplies (UPS)

Laser Generators

Capacitor Discharge Circuits

AC Switches

V_CE(sat)

I_C= 30A, V_GE= 15V, Note 1

3.5

4.6

4.0



DS100724B(3/17)

12 3 4 5 6 7 8

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