是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Not Recommended | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.75 | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS | 最小漏源击穿电压: | 500 V |
最大漏极电流 (ID): | 10 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带: | VERY HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码: | R-PDSO-F8 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXZ2210N50L2 | IXYS |
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RF MOSFET 2N-CHANNEL DE275 | |
IXZ-2510 | TDK |
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陀螺仪 | |
IXZ308N120 | IXYS |
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Z-MOS RF Power MOSFET | |
IXZ316N60 | IXYS |
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Z-MOS RF Power MOSFET | |
IXZ318N50 | IXYS |
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Z-MOS RF Power MOSFET | |
IXZ4DF12N100 | IXYS |
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RF Power MOSFET & DRIVER | |
IXZ4DF18N50 | IXYS |
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RF Power MOSFET & DRIVER | |
IXZH10N50LA | IXYS |
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RF Power MOSFET | |
IXZH10N50LB | IXYS |
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RF Power MOSFET | |
IXZR08N120 | IXYS |
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Z-MOS RF Power MOSFET |