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IXYX140N120A4

更新时间： 2024-10-03 14:54:15
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 栅极驱动双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 636K
描述
通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达1200V的器件有助于降低栅极驱动要求和传导损耗。 具有低热阻、低损耗、高电流密度和低栅极电荷要求的特点。

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1200V XPTTM IGBT  
GenX4TM  
VCES = 1200V  
IC110 = 140A  
VCE(sat)  1.70V  
tfi(typ) = 320ns  
IXYX140N120A4  
Ultra Low-Vsat IGBT for  
up to 5kHz Switching  
PLUS247  
(IXYX)  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
1200  
1200  
V
V
G
C
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M  
E
C (Tab)  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
G = Gate  
E = Emitter  
C
= Collector  
Tab = Collector  
IC25  
TC= 25°C (Chip Capability)  
480  
A
ILRMS  
IC110  
Terminal Current Limit  
TC= 110°C  
160  
140  
A
A
ICM  
TC = 25°C, 1ms  
1200  
ICM = 280  
0.8 • VCES  
1500  
A
SSOA  
(RBSOA)  
PC  
VGE = 15V, TVJ = 125°C, RG = 2  
Clamped Inductive Load  
TC = 25°C  
A
Features  
V
W
Optimized for Low Conduction Losses  
Positive Thermal Coefficient of  
Vce(sat)  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
International Standard Package  
-55 ... +175  
TL  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10s  
300  
°C  
Advantages  
High Power Density  
Low Gate Drive Requirement  
FC  
Mounting Force  
20..120 /4.5..27  
6
N/lb  
g
Weight  
Applications  
Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
Lamp Ballasts  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
1200  
4.5  
Typ.  
Max.  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250A, VGE = 0V  
IC = 4mA, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
6.5  
Inrush Current Protection Circuits  
25 A  
mA  
200 nA  
TJ = 125C  
TJ = 150C  
5
IGES  
VCE = 0V, VGE = 20V  
VCE(sat)  
IC = IC110, VGE = 15V, Note 1  
1.34  
1.50  
1.70  
V
V
©2020 Littelfuse, Inc.  
DS101009A(6/20)  
12345678

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与IXYX140N120A4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXYX140N90C3 IXYS

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 		XPTTM 900V IGBTs
IXYX140N90C3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYX200N65B3 IXYS

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 		Advance Technical Information
IXYX200N65B3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYX25N250CV1 IXYS

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 		High Voltage XPT IGBT w/ Diode
IXYX25N250CV1HV IXYS

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 		High Voltage XPT IGBT w/ Diode
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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYX40N450HV LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYX50N170C LITTELFUSE

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