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IXYX100N120B3

更新时间： 2024-12-01 14:56:39
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关栅双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 232K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。 它们具有正集电

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IXYX100N120B3 数据手册

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Preliminary Technical Information  
1200V XPTTM IGBTs  
GenX3TM  
VCES = 1200V  
IC110 = 100A  
VCE(sat) ≤ 2.6V  
tfi(typ) = 240ns  
IXYK100N120B3  
IXYX100N120B3  
Extreme Light Punch Through  
IGBT for 5-30 kHz Switching  
TO-264 (IXYK)  
G
C
E
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
1200  
1200  
V
V
Tab  
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1MΩ  
PLUS247 (IXYX)  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
IC25  
TC = 25°C (Chip Capability)  
225  
A
ILRMS  
IC110  
ICM  
Terminal Current Limit  
TC = 110°C  
160  
100  
A
A
G
C
Tab  
E
TC = 25°C, 1ms  
530  
A
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
50  
A
J
G = Gate  
C = Collector  
E
= Emitter  
1.2  
Tab = Collector  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 1Ω  
ICM = 200  
A
(RBSOA)  
Clamped Inductive Load  
@VCE ≤ VCES  
Features  
PC  
TC = 25°C  
1150  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
z
z
z
Optimized for 5-30kHZ Switching  
Square RBSOA  
Positive Thermal Coefficient of  
Vce(sat)  
Avalanche Rated  
International Standard Packages  
-55 ... +175  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
z
z
Md  
FC  
Mounting Torque (TO-264)  
Mounting Force (PLUS247)  
1.13/10  
Nm/lb.in.  
N/lb.  
20..120 /4.5..27  
Advantages  
Weight  
TO-264  
PLUS247  
10  
6
g
g
z
High Power Density  
Low Gate Drive Requirement  
z
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
1200  
3.0  
Typ.  
Max.  
Applications  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250μA, VGE = 0V  
IC = 250μA, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
z
Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
z
5.0  
z
25 μA  
mA  
±100 nA  
z
z
TJ = 150°C  
TJ = 150°C  
1
z
IGES  
VCE = 0V, VGE = ±20V  
z
z
VCE(sat)  
IC = IC110, VGE = 15V, Note 1  
2.20  
2.76  
2.60  
V
V
Lamp Ballasts  
© 2013 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100519A(03/13)  
1234567

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与IXYX100N120B3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXYX100N120C3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYX100N65B3D1 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYX100N65C3D1 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYX110N120A4 LITTELFUSE

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 		通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达
IXYX110N120B4 LITTELFUSE

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IXYX110N120C4 LITTELFUSE

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IXYX120N120B3 IXYS

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 		Advance Technical Information
IXYX120N120B3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYX120N120C3 IXYS

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 220A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,
IXYX120N120C3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT

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