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IXYT85N120A4HV

更新时间： 2024-11-18 14:56:59

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅极驱动双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	960K
描述
通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达1200V的器件有助于降低栅极驱动要求和传导损耗。具有低热阻、低损耗、高电流密度和低栅极电荷要求的特点。

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IXYT85N120A4HV 数据手册

1200V XPT^TM

GenX4^TMIGBT

V_CES= 1200V

I_C110= 85A

V_CE(sat) 1.8V

t_fi(typ)= 280ns

IXYT85N120A4HV

Ultra Low-Vsat PT IGBT for

up to 5kHz Switching

TO-268HV

(IXYT..HV)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

C (Tab)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

1200

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

G = Gate

= Collector

E = Emitter

Tab = Collector

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_LRMS

I_C110

T_C= 25°C (Chip Capability)

Terminal Current Limit

T_C= 110°C

300

160

Features

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

520



SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 5

Clamped Inductive Load

I_CM= 170

Optimized for Low Conduction Losses

Positive Thermal Coefficient of

Vce(sat)



(RBSOA)

V_CE 0.8 • V_CES

P_C

T_C= 25°C

1150

International Standard Package

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C

Advantages

-55 ... +175



High Power Density

Low Gate Drive Requirement

T_SOLD

Plastic Body for 10s

260

°C



Weight

Applications



Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1200

4.0

Typ.

Max.



BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V



6.5

Inrush Current Protector Circuits

10 A

100 nA

T_J= 150C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

V_CE(sat)

I_C= 85A, V_GE= 15V, Note 1

1.5

1.7

1.8

DS101001A(4/20)

12 3 4 5 6 7 8

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与IXYT85N120A4HV相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXYX100N120B3	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 225A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,
IXYX100N120B3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYX100N120C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYX100N65B3D1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYX100N65C3D1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYX110N120A4	LITTELFUSE	获取价格	通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达
IXYX110N120B4	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXYX110N120C4	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXYX120N120B3	IXYS	获取价格	Advance Technical Information
IXYX120N120B3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT

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