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IXYT80N90C3

更新时间： 2024-11-18 14:56:15

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	210K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。它们具有正集电

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IXYT80N90C3 数据手册

XPT^TM900V IGBT

GenX3^TM

V_CES= 900V

I_C110= 80A

V_CE(sat) 2.7V

t_fi(typ)= 86ns

IXYT80N90C3

IXYH80N90C3

High-Speed IGBT

for 20-50 kHz Switching

TO-268 (IXYT)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

C (Tab)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

900

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

TO-247 (IXYH)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_LRMS

I_C110

T_C= 25°C (Chip Capability)

Terminal Current Limit

T_C= 110°C

165

160

C (Tab)

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

360

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 2

Clamped Inductive Load

I_CM= 160

G = Gate

E = Emiiter

= Collector

(RBSOA)

@V_CE V_CES

Tab = Collector

P_C

T_C= 25°C

830

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C

-55 ... +175

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



Optimized for Low Switching Losses

Square RBSOA

Positive Thermal Coefficient of

Vce(sat)



M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

TO-268

TO-247



International Standard Packages

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

950

3.5

Typ.

Max.

High Power Density

Low Gate Drive Requirement



BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

5.5

Applications

25 A



T_J= 150C

750 A

High Frequency Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts



I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

100 nA



V_CE(sat)

I_C= 60A, V_GE= 15V, Note 1

2.3

2.9

2.7



DS100446B(12/15)

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXYT85N120A4HV	LITTELFUSE	获取价格	通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达
IXYX100N120B3	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 225A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,
IXYX100N120B3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYX100N120C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYX100N65B3D1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYX100N65C3D1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYX110N120A4	LITTELFUSE	获取价格	通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达
IXYX110N120B4	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXYX110N120C4	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXYX120N120B3	IXYS	获取价格	Advance Technical Information

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