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IXYX110N120B4

更新时间： 2024-11-06 17:00:55

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	1218K
描述
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热阻、低能量损耗、快速切换、低尾电流和高电流密度等特点。这种IGBT具有650V至1200V的击穿电压，

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IXYX110N120B4 数据手册

1200V XPT^TMGen 4

IGBT

V_CES= 1200V

I_C110= 110A

V_CE(sat) 2.10V

t_fi(typ)= 130ns

IXYX110N120B4

Extreme Light Punch Through

IGBT for 5-30 kHz Switching

PLUS247

(IXYX)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

1200

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

C (Tab)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

G = Gate

E = Emitter

= Collector

I_C25

T_C= 25°C (Chip Capability)

340

Tab = Collector

I_LRMS

I_C110

Terminal Current Limit

T_C= 110°C

160

110

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

800

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 2

Clamped Inductive Load

I_CM= 220

0.8 • V_CES

Features

P_C

T_C= 25°C

1360



Optimized for 5-30kHZ Switching

Positive Thermal Coefficient of

Vce(sat)

T_J

-55 ... +175

175

°C



T_JM

T_stg

-55 ... +175

International Standard Package

T_L

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10s

300

°C

Advantages

M_d

Mounting Force

20..120 / 4.5..27

Nm/lb.in



High Power Density

Low Gate Drive Requirement

Weight



Applications



Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1200

4.5

Typ.

Max.



BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 3mA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V



PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts

6.5

25 A

T_J= 150C

1.5 mA

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

100 nA

V_CE(sat)

I_C= I_C110, V_GE= 15V, Note 1

1.66

1.95

2.10

DS101053B(10/21)

12 3 4 5 6 7

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