型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXYX120N120C3 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 220A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, | |
IXYX120N120C3 | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT | |
IXYX140N120A4 | LITTELFUSE |
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通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程,这些高达 | |
IXYX140N90C3 | IXYS |
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XPTTM 900V IGBTs | |
IXYX140N90C3 | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT | |
IXYX200N65B3 | IXYS |
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Advance Technical Information | |
IXYX200N65B3 | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT | |
IXYX25N250CV1 | IXYS |
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High Voltage XPT IGBT w/ Diode | |
IXYX25N250CV1HV | IXYS |
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High Voltage XPT IGBT w/ Diode | |
IXYX300N65A3 | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT |