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IXYT40N120A4HV

更新时间： 2024-11-19 14:56:55

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力特 - LITTELFUSE		栅极驱动双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	953K
描述
通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达1200V的器件有助于降低栅极驱动要求和传导损耗。具有低热阻、低损耗、高电流密度和低栅极电荷要求的特点。

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IXYT40N120A4HV 数据手册

1200V XPT^TM

GenX4^TMIGBT

V_CES= 1200V

I_C110= 40A

IXYT40N120A4HV

V_CE(sat) 1.80V

t_fi(typ)= 220ns

Ultra Low-Vsat PT IGBT for

up to 5kHz Switching

TO-268HV

(IXYT..HV)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

C (Tab)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

1200

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

G = Gate

= Collector

E = Emitter

Tab = Collector

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C110

T_C= 25°C

T_C= 110°C

140

Features

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

275



Optimized for Low Conduction

Positive Thermal Coefficient of

Vce(sat)



SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 5

Clamped Inductive Load

I_CM= 80

(RBSOA)

V_CE 0.8 • V_CES

International Standard Package

P_C

T_C= 25°C

600

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C

Advantages

-55 ... +175



High Power Density



Low Gate Drive Requirement

T_SOLD

Plastic Body for 10s

260

°C

Weight

Applications



Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1200

4.0

Typ.

Max.



BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V



Inrush Current Protection Circuits

6.5

10 A

100 nA

T_J= 150C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

V_CE(sat)

I_C= 32A, V_GE= 15V, Note 1

1.56

1.80

DS101002B(5/20)

12 3 4 5 6 7 8

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与IXYT40N120A4HV相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXYT55N120A4HV	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXYT80N90C3	IXYS	获取价格	XPTTM 900V IGBT
IXYT80N90C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYT85N120A4HV	LITTELFUSE	获取价格	通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达
IXYX100N120B3	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 225A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,
IXYX100N120B3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYX100N120C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYX100N65B3D1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYX100N65C3D1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYX110N120A4	LITTELFUSE	获取价格	通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达